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公开(公告)号：CN108622842A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710167444.8
申请日：2017-03-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H04R31/003 , B81B3/0051 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C1/00658 , B81C2201/0105 , B81C2201/0133 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2231/003 , H04R2307/025 , B81B3/0027 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C2201/0174 , H04R9/08
Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。
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公开(公告)号：CN105448862B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
Abstract: 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN106553992B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510621880.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种金属电极结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底内形成有器件，在所述基底表面依次形成粘附膜和金属电极膜；对金属电极膜进行第一刻蚀工艺，形成金属电极层；对粘附膜进行第二刻蚀工艺，直至露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；采用第三刻蚀工艺，去除位于所述粘附膜内残留金属电极膜；对剩余的粘附膜进行第四刻蚀工艺，形成黏附层，所述黏附层与所述金属电极层构成金属电极结构。本发明通过先刻蚀部分粘附膜直至暴露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜，然后刻蚀去除所述残留金属电极膜，最后再刻蚀去除剩余的所述粘附膜，使形成金属电极结构后基底表面的残留物减少，从而提升了器件的性能及良率。
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公开(公告)号：CN105448642A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410437369.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00182 , H01L41/113
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有器件区；在所述衬底的器件区表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成器件层，所述器件层内具有若干暴露出所述牺牲层的开口；在形成所述器件层和开口之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，对所述衬底的器件区表面进行刻蚀，在所述衬底内形成空腔。所形成的半导体结构形貌改善、性能提高，形成所述半导体结构的时间减少、工艺简化。
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公开(公告)号：CN105384143A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410446864.6
申请日：2014-09-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供基底，在所述基底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方沉积形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成压力传感膜；蚀刻所述压力传感膜，以形成开口暴露部分所述牺牲层，并去除所述牺牲层；在所述压力传感膜和部分层间介电层上形成氧化物层，以填孔所述开口，以形成密闭的空腔；执行激光退火步骤，以释放所述压力传感膜内的应力。根据本发明的方法，在牺牲层释放后进行激光退火处理，其工艺窗口更大，对压力传感膜的应力具有比较好的调节效果，提高了压力传感器的灵敏度和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374739A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410438412.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有通孔；形成覆盖于所述基底表面、通孔底部和侧壁表面的金属层；在所述金属层表面形成苯并环丁烯层；在所述苯并环丁烯层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔；对所述光刻胶膜进行烘烤处理；图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层，所述光刻胶层位于通孔上方；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀苯并环丁烯层以及金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。本发明通过在金属层表面形成苯并环丁烯层，以保护位于通孔内的金属层不被刻蚀，提高形成的再分布层的质量，从而提高半导体结构的可靠性以及电学性能。
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公开(公告)号：CN105097427A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410165858.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法，提供一晶片，在所述晶片表面生长一层金属膜；测试所述金属膜的第一反射率；使所述金属膜的表面氧化；使用金属氧化物腐蚀溶液清洗烘烤后的所述表面生长有金属膜的晶片；测试所述清洗后的晶片表面金属膜的第二反射率；通过对比金属膜的第一反射率和金属膜的第二反射率，可以轻易的辨别金属膜表面的金属氧化物是否被完全去除。所述方法简单易行，所涉及的工艺和设备比较简单，使得监控的周期大大缩短，具有较好的实时性；同时，由于测试金属膜的反射率的过程中不会对晶片表面所生成的金属膜造成损伤，且测试仪器的精度较高，大大提高了监控的准确性。
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公开(公告)号：CN104979274A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410136509.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种硅通孔形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有绝缘层；沿所述半导体衬底的第二表面蚀刻所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底内形成开口；在所述开口的侧壁形成保护层；以所述保护层为掩模，采用各向异性湿法刻蚀工艺沿所述开口蚀刻所述半导体衬底至暴露所述绝缘层表面，形成通孔。所述形成方法能够防止通孔形成过程中出现底角缺口现象，提高所形成的硅通孔的质量。
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公开(公告)号：CN104810259A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410042095.3
申请日：2014-01-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/223 , H01L21/30 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/223 , H01L21/30608
Abstract: 一种晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法。其中，所述晶圆的处理方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面分别构成梯形的两腰；在所述第一表面和所述第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述边缘；以所述掩膜层为掩模，对所述上斜截面、侧面和下斜截面进行离子掺杂；去除所述掩膜层。所述晶圆的处理方法中，在离子掺杂后，晶圆的边缘中，上斜截面、侧面和下斜截面都被钝化，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常。
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公开(公告)号：CN109835867B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711190003.6
申请日：2017-11-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。
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