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公开(公告)号：CN109427828B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710785701.4
申请日：2017-09-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。本申请可以减少键合后的晶圆之间存在的气隙。
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公开(公告)号：CN107304037B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610240785.9
申请日：2016-04-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有第一接合材料层，所述第一接合材料层包括第一金属层；步骤S2：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有第二接合材料层，所述第二接合材料层包括依次形成的第一金属层和第二金属层；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆对准，步骤S4：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至所述第一金属层和所述第二金属层形成的合金的熔点以下；步骤S5：将所述第二接合材料层中的所述第二金属层与所述第一接合材料层中的所述第一金属层接触，并且仅继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，以使所述顶部晶圆和所述底部晶圆接合。
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公开(公告)号：CN109256340A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710567272.3
申请日：2017-07-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装结构及其封装方法，所述方法包括:提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面上形成气体释放材料层；提供第二晶圆，在所述第二晶圆的正面上形成有芯片；将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合，并在所述第一晶圆和第二晶圆之间形成空腔，所述气体释放材料层和所述芯片均位于所述空腔内；使所述气体释放材料层释放气体，以调节所述空腔内与外界的压力差；减薄所述第二晶圆的背面。根据本发明提供的晶圆级封装方法，当第一晶圆和第二晶圆完成键合后，每颗芯片的周围会形成一个密封的空腔，通过形成气体释放材料层，并使之向空腔中释放气体，调节空腔内与外界的压力差，从而避免晶圆破裂。
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公开(公告)号：CN108074823A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610998117.2
申请日：2016-11-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。本发明切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemical De-bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107304037A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610240785.9
申请日：2016-04-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: B81B1/00 , B81B7/0009 , B81B7/02 , B81C1/00015 , B81C1/00095
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有第一接合材料层，所述第一接合材料层包括第一金属层；步骤S2：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有第二接合材料层，所述第二接合材料层包括依次形成的第一金属层和第二金属层；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆对准，步骤S4：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至所述第一金属层和所述第二金属层形成的合金的熔点以下；步骤S5：将所述第二接合材料层中的所述第二金属层与所述第一接合材料层中的所述第一金属层接触，并且仅继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，以使所述顶部晶圆和所述底部晶圆接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104821281A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410045284.6
申请日：2014-01-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在向半导体衬底内的凹槽，以及半导体衬底上形成金属材料层后，采用车刀切割工艺去除部分金属材料层，使得凹槽内的金属材料层表面与半导体衬底表面齐平；之后，使两块半导体衬底键合连接。采用车刀切割工艺去除部分金属材料层后，剩余的金属材料层表面的晶粒排列杂乱，在晶粒中出现大量的断层，晶粒的晶胞呈畸形，并在晶胞中出现大量原子空缺，上述结构在后续键合过程中，可提高两块半导体衬底上的金属材料层之间的原子扩散效率，从而在确保金属材料层之间键合强度的同时，可有效降低键合工艺的温度，从而避免过高温度造成半导体衬底以及半导体衬底内的器件损伤。
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公开(公告)号：CN108630559B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710156402.4
申请日：2017-03-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。本发明形成的晶圆键合结构的晶圆键合效果得到提高。
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公开(公告)号：CN108206142B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201611187333.5
申请日：2016-12-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种键合对准精度的检测方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。包括：提供第一器件晶圆，在所述第一器件晶圆上形成第一对准标记，所述第一对准标记的形状为环形；提供第二器件晶圆，在所述第二器件晶圆上形成第二对准标记；形成介质层以覆盖所述第二器件晶圆形成有所述第二对准标记的面，并且所述介质层的表面与所述第二对准标记的表面齐平；在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层；将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合，第一对准标记和虚拟键合层相对准并键合，第二对准标记与第一对准标记所包围的空白区域相对；对所述第一对准标记和所述第二对准标记组成的图形进行成像，以检测键合的对准精度。
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公开(公告)号：CN108609577A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611140082.5
申请日：2016-12-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，所述方法包括:提供MEMS晶圆，所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的过滤层；在所述MEMS晶圆中形成开口，所述开口贯穿所述MEMS晶圆的背面；在所述图案化的过滤层上形成胶带；自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度；剥离所述胶带。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法，首先在MEMS晶圆中形成贯穿所述MEMS晶圆的背面的开口，然后采用胶带对所述MEMS晶圆正面进行保持，自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度，从而避免了需要临时键合的工艺，从而实现低成本、高良率制作超薄MEMS器件。
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公开(公告)号：CN108231805A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611152917.9
申请日：2016-12-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成粘结层；图案化所述粘结层，以在所述粘结层中形成切割路径；通过所述粘结层将所述第一晶圆与第二晶圆相接合；沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，采用干膜材料形成粘结层，并通过光刻工艺在粘结层中形成切割路径，然后用切割刀沿所述切割路径切割晶圆，从而避免切割过程中粘刀的情况，保证切割品质。
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