公开(公告)号：CN105437808B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510610096.8

申请日：2015-09-23

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： M.海因里齐 ,  R.延斯基 ,  S.克罗伊特 ,  M.米希茨 ,  S.施瓦布

IPC: B41M5/00

CPC classification number: H01L21/02288 ,  C09D11/10 ,  C09D11/30 ,  C09J5/00 ,  C09J163/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3157 ,  H01L51/0005

Abstract: 本发明涉及具有喷墨过程的方法和其应用。方法包括以下步骤：借助喷墨方法沉积多组分系统的第一组分，和借助喷墨方法沉积多组分系统的第二组分。

公开(公告)号：CN109686716A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811469838.X

申请日：2018-11-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所

Inventor： 王剑峰 ,  明雪飞 ,  吉勇 ,  高娜燕

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3185 ,  H01L2221/68372

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺，属于晶圆级封装技术领域。所述晶圆级扇出封装的圆片结构，包括金属框架单元、芯片和塑封料，所述金属框架单元包括主框架和连脚，连脚设置于主框架的四周；所述主框架采用封闭的框架结构，主框架包围芯片。所述的晶圆级扇出封装工艺，包括以下步骤：（1）基板上贴装临时键合膜；（2）在临时键合膜上贴装金属框架结构；（3）贴装芯片；（4）将金属框架结构和芯片注塑在一起，得到圆片结构；（5）去除基板及临时键合膜；（6）晶圆级再布线；（7）植球；（8）划片。本发明的金属框架结构在注塑过程能够更好的抵抗塑封料流淌引起的芯片偏移问题。

公开(公告)号：CN109643664A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780044675.8

申请日：2017-07-20

Applicant: 佳科仪器控股有限责任公司

Inventor： 唐佳其 ,  科内利斯·伊格纳修斯·玛丽亚·贝纳克 ,  威利布罗德·杰拉德斯·玛丽亚·范登霍克

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H05K3/28 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/31138 ,  H01L24/45 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/26 ,  H05K3/288 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/092 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及用于处理封装在塑料包装中的电子设备的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括氢源的气体流；从所述气体感应含氢的等离子流；以及将含氢的等离子流引导至塑料包装，以蚀刻塑料包装。

公开(公告)号：CN109638009A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811541739.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 刘道祥

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/18 ,  H01L25/165 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/17 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/17106

Abstract: 本发明公开了多芯片层叠扇出型封装结构，包括：第一芯片；第二芯片；一个或多个铜柱；包覆第一芯片、第二芯片和铜柱的塑封层；第一金属层，电连接至第一芯片和/或一个或多个铜柱的第一端；第一钝化层，覆盖第一金属层的表面和间隙；第二金属层电连接至第一金属层；第三金属层，第三金属层电连接至第二芯片和/或一个或多个铜柱的第二端；第二钝化层，覆盖第三金属层的表面和间隙；第四金属层，电连接至第三金属层；第三钝化层，覆盖第四金属层的表面和间隙；第五金属层，电连接至第四金属层；第四钝化层，覆盖第五金属层的表面和间隙；以及外接焊球，电连接至第五金属层。

公开(公告)号：CN109637982A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811158550.0

申请日：2018-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·瓦佩尔 ,  B·克诺特 ,  H·托伊斯

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00301 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/04 ,  H01L23/055 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/293 ,  B81C1/00261 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提出了一种制造半导体元件的方法。该方法包括提供壳体。至少一个半导体芯片布置在壳体的空腔中。此外，半导体芯片的电触点通过接合线连接到壳体的电触点。该方法还包括将保护材料施加到半导体芯片的电触点以及接合线与半导体芯片的电触点的邻接区域，和/或施加到壳体的电触点以及接合线与壳体的电触点的邻接区域。此外，该方法还包括用凝胶填充空腔的至少一个子区域。

公开(公告)号：CN109411369A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810824906.3

申请日：2018-07-25

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： S·克里南 ,  王松伟 ,  周志雄 ,  刘豪杰 ,  陈费费

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L23/482 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体封装及其形成方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，晶圆的第一侧包括多个电触点。所述方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露多个电触点，以及在多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。

公开(公告)号：CN108922856A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810769914.2

申请日：2018-07-13

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 刘恺 ,  梁志忠 ,  王亚琴

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明揭示了一种单体双金属板封装结构及封装方法，单体双金属板封装结构包括：第一线路层；电性连接于第一线路层上方且与第一线路层形成至少一个空腔的第二线路层；叠加设置于第一线路层下方的第一阻焊层，第一阻焊层设置有若干个开窗区域；契合第二线路层外壁面设置的上金属板；连通空腔内部的注塑孔；位于空腔内的第一芯片和/或第二芯片，以及位于空腔外的第三芯片；植入第一阻焊层的开窗区域以连通第一线路层的焊球；填充空腔、注塑孔以及包封第三芯片和第二线路层外壁面的注塑料。本发明采用双金属板进行封装来使线路连接到注塑料表面或内部，从而更方便的实现堆叠封装，而且其无需使用传统的具有型腔模具进行塑封，节约制造成本。

公开(公告)号：CN108780782A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780005876.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 深圳市汇顶科技股份有限公司

Inventor： 罗军平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种晶片封装结构及封装方法。晶片封装结构包括：晶片(1)、载体(2)、粘结膜(3)以及塑封体(4)；粘结膜(3)设置在晶片(1)的底面上，粘结膜(3)的厚度大于或等于40微米；晶片(1)通过粘结膜(3)设置在载体(2)上；塑封体(4)设置在载体(2)上，且包覆晶片(1)的顶面及多个侧面。还提供了一种晶片封装方法，现对于现有技术，可以提高晶片整体的抗冲击能力，而且无需改变载体的结构，省去开模的费用，且封装结构简单，易于量化生产。

公开(公告)号：CN108695249A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810224675.2

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 竹之内研二

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3043 ,  B28D5/022 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L21/82 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种加工方法，该加工方法在对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工时，能够在维持加工品质的同时提高加工速度。该加工方法对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工，该加工方法具备下述步骤：保持步骤，利用保持工作台对被加工物进行保持；和切削步骤，在实施保持步骤后，利用环状的切削刀具沿着切断预定线对被加工物进行切削，分割层叠体；切削刀具具有形成于在切削步骤中切入被加工物的、该切削刀具的外周部的表面或背面的槽，在切削步骤中，一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液，一边执行切削。

公开(公告)号：CN108695165A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710709097.7

申请日：2017-08-17

Applicant: 宁波舜宇光电信息有限公司

Inventor： 王明珠 ,  赵波杰 ,  田中武彦 ,  陈振宇 ,  蒋恒 ,  郭楠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一基于模制工艺的半导体封装方法和半导体装置，其中所述封装方法首先使一补偿部的至少一部分被保持在一半导体元件的一第一结合面和一封装部件的一第二结合面之间形成的结合区域的至少一部分，以形成一半导体装置的半成品；其次在使所述封装部件硬化时，通过使所述补偿部的每个位置产生不同程度的变形的方式补偿所述封装部件的变形幅度和所述半导体元件的变形幅度的差异，以封装所述半导体元件而形成所述半导体装置，通过上述这样的方式，能够避免所述半导体元件的表面出现裂痕、变形等不良现象。