-
公开(公告)号:CN117424587A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202311385295.4
申请日:2023-10-25
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/042 , H03K17/08 , H03K17/082
Abstract: 本发明功率半导体器件IGBT的控制技术领域,尤其涉及一种基于辅助升压电路的栅极升压IGBT开通电路,解决了背景技术中的技术问题,其包括第一MOS管T1、第二MOS管T2、缓冲转换器U4、施密特反相器U5、三极管T12以及辅助升压电路,辅助升压电路包括三极管T3、三极管T4、电容C4、电阻R8、二极管D4、二极管D5、比较器U1和与非门U3;第一MOS管T1的漏极与第二MOS管T2的源极相连且二者连线通过二极管D1与P15V输出端相连,第一MOS管T1的源极连接至P25V输出端。所述电路可在不额外增加电源的情况下,增加栅极电压,在不同的开通阶段,选择不同的栅极电压,进而达到开通速度快、开通损耗小、电流尖峰小的目的。
-
公开(公告)号:CN112928967A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201911235205.7
申请日:2019-12-05
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H02P27/06 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供的一种逆变复合母排以及逆变功率单元,复合母排用于连接三相逆变电路中双面并联布局的开关器件;包括:连接母排,为相对于第一平面对称的对称结构,设置有与变流柜的连接端子连接的伸出端子;侧边母排,对应双面并联布局的所述开关器件设置有两个,分别用于连接同侧的所述开关器件;两个所述侧边母排相对于所述第一平面对称设置于所述连接母排。如此设计,首先,可将整个主电路连接起来,解决了主电路电缆连接多,布局复杂,电缆杂散电感大,功率器件容易损坏,电路可靠性差等问题;其次,逆变复合母排结构对称,使并联回路中漏感最小,可有效降低连接电感,保证开关器件工作的可靠性。
-
公开(公告)号:CN112928525A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201911235176.4
申请日:2019-12-05
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H01R13/502 , H01R25/16 , H02M7/00
Abstract: 本发明提供的一种母排连接器以及逆变功率单元,母排连接器包括夹设于所述伸出端子端部的连接器本体,所述连接本体为绝缘结构,所述连接器本体设置有两侧分别与所述伸出端子和所述连接端子接触导通的导电部。如此设计,母排连接器通过连接器本体直接夹设于在逆变复合母排的伸出端子上,然后通过分别与连接端子和伸出端子接触的导电部即可实现伸出端子与连接端子之间的导通连接;不需要钻孔或者特别的切割,不需要螺纹,安装快速;不仅使逆变复合母排的杂散电感量最小,减少系统杂散电感,保证逆变功率单元中主电路均流特性和开关器件工作的可靠性。而且通过母排连接器,使逆变复合母排与连接端子之间的电气连接更加方便,降低安装和维护成本。
-
公开(公告)号:CN116822449A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310749094.1
申请日:2023-06-25
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及SiC MOSFET模块仿真建模技术领域,具体为SiC MOSFET模块仿真模型建模方法及其应用。其目的在于提供一种基于电磁兼容的SiC MOSFET模块仿真模型建模方法,包括如下步骤:提取SiC MOSFET数据手册中的静态参数特性;六种工况下进行模块的双脉冲实验并提取动态参数;将整个SiC MOSFET模块采用Ansys Q3D软件进行处理并生成等效的电路模型,然后提取其寄生参数,将提取寄生参数后的电路模型链接到时域仿真器中。该仿真模型可以更好地应用于电力电子系统电路仿真,例如:可用于大功率SiC MOSFET功率模块驱动参数适配指导,也可用于大功率变流装置进行电磁兼容等分析等。
-
公开(公告)号:CN116743143A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202210209240.7
申请日:2022-03-04
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明实施例公开了一种碳化硅(SiC)功率器件的驱动装置及设备,所述装置包括:电源电压转换电路和功率开关电路;所述电源电压转换电路与所述功率开关电路连接;所述电源电压转换电路包括可调电阻、稳压器件和运算放大器件;所述稳压器件分别与所述可调电阻和所述运算放大器件连接;通过调节所述可调电阻的阻值;所述电源电压转换电路,用于提供不同的驱动电压;所述功率开关电路包括开关管和SiC功率器件;所述SiC功率器件与所述开关管连接;所述功率开关电路,用于接收用户的控制指令,根据所述控制指令和所述驱动电压控制所述开关管的导通或关断,基于所述开关管的导通或关断驱动所述SiC功率器件导通或关断。
-
公开(公告)号:CN109189375B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201811312468.9
申请日:2018-11-03
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: G06F8/20
Abstract: 本发明涉及软件构架,具体为一种电力机车整车控制软件构架。解决现有整车控制软件的结构复杂,设计及维护困难的问题。本发明使用虚拟仿真信号模拟电力机车的电气接口信号及网络接口信号,采用面向对象及基于模型的设计方法,对电力机车的整车控制软件构架进行设计,使用图形化开发语言对电力机车的整车控制软件进行开发,使控制软件的设计与维护直观化、可视化,使用信号总线实现电力机车整车控制软件构架的总体输入接口、各功能模型间的接口及总体输出接口。本发明适用于机车整车控制的大规模嵌入式控制软件。
-
公开(公告)号:CN113037058A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201911343396.9
申请日:2019-12-24
Applicant: 中车永济电机有限公司
Abstract: 本发明提供的SiC功率器件驱动装置和牵引系统,该装置包括电压转换电路、数字化驱动电路、开关电路,电压转换电路将牵引控制单元提供的供电电压进行电压转换,生成用于驱动所述SiC功率器件导通第一驱动电压和用于驱动所述SiC功率器件关断第二驱动电压。数字化驱动电路根据牵引控制单元输入的驱动控制信号,控制所述第一开关或所述第二开关导通。本发明提供的SiC功率器件驱动装置和牵引系统,通过在SiC功率器件驱动装置设置数字化驱动电路,因此,可以采用数字化的方式驱动SiC功率器件导通或关断,进而可以满足SiC功率器件快速开关的需求,使其可以应用于轨道交通牵引领域,发挥其高频和低损耗的特性。
-
公开(公告)号:CN110504659A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910773038.5
申请日:2019-08-21
Applicant: 中车永济电机有限公司
Abstract: 本发明涉及IGBT的保护电路,具体为IGBT驱动短路保护检测电路。解决现有IGBT驱动短路保护检测电路短路保护时间受母线电压影响,易造成短路保护不及时的问题。该电路包括第一与非门U4,驱动板输入脉冲信号CMD-H处理电路,IGBT集射极电压状态采集电路;驱动板输入脉冲信号CMD-H处理电路的输出端TP-CMD-H与第一与非门U4的第一输入端相连,驱动板输入脉冲信号CMD-H接入第一与非门U4的第二输入端,IGBT集射极电压状态采集电路的输出端HZ_Vce与第一与非门U4的第三输入端相连,第一与非门U4的输出端作为IGBT驱动短路保护检测电路的输出FAILb。本发明无论母线电压变大或变小,短路保护的响应时间不变。
-
公开(公告)号:CN116800239A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202210272258.1
申请日:2022-03-18
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H03K17/567 , H02M1/088
Abstract: 本申请实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动装置,所述IGBT驱动装置包括:控制电路和输出电路;所述控制电路的输出端与所述输出电路的输入端连接;所述输出电路包括开关、变压器和至少两路输出支路;所述变压器与所述至少两路输出支路连接;其中,所述控制电路,用于基于输入电压向所述输出电路周期性输入脉冲信号;所述输出电路,用于根据所述脉冲信号控制所述开关处于导通状态或断开状态;在所述开关处于导通状态的情况下,将输入至所述变压器的电压输出至所述至少两路输出支路。
-
公开(公告)号:CN112994417A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201911274405.3
申请日:2019-12-12
Applicant: 中车永济电机有限公司
IPC: H02M1/08
Abstract: 本申请提供一种抑制电流变化速率装置及变流器系统。本申请提供的抑制电流变化装置包括稳压二极管以及功率半导体器件,稳压二极管串联于功率半导体器件的门极与功率发射极之间,稳压二极管的正极与功率半导体器件的功率发射极的端口连接,稳压二极管的负极与功率半导体器件的门极的端口连接。当功率半导体器件开通时刻,稳压二极管的输出电压为门极的端口与功率发射极的端口之间的电压,随着寄生电感上的感应电压的增大,功率半导体器件的门极驱动电压在预设时间内被降低,从而有效抑制电流变化速率,对功率半导体器件甚至整个变流器系统起到可靠地保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-