一种两级有源钳位电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117439587A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311385745.X

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明IGBT驱动保护技术领域,尤其涉及一种两级有源钳位电路,解决了背景技术中的技术问题,其包括主回路IGBT器件、IGBT1和钳位使能控制电路;钳位使能控制电路包括光隔离器U1、施密特反相器U6、关断钳位使能子电路和开通钳位使能子电路,关断钳位使能子电路和开通钳位使能子电路并联后连接至光隔离器U1和施密特反相器U6之间。本发明提供了一种两级有源钳位电路,其中有源钳位的门槛电压值通过钳位使能控制电路进行选择,有源钳位的门槛值与驱动板脉冲输入PWM信号有关,不受IGBT开关状态的影响,同时,可以调节钳位使能控制电路中的器件参数,调节有源钳位低门槛值及高门槛值的时间。

    一种有轨电车用牵引逆变器

    公开(公告)号:CN105790625A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610185247.4

    申请日:2016-03-29

    CPC classification number: H02M7/537 H02P27/06

    Abstract: 本发明涉及交流转动系统中的逆变器,具体为一种有轨电车用牵引逆变器,包括预充电电路、滤波电路、直流支撑电路、制动电路、逆变电路和检测电路,其中预充电电路包括SCR可控硅,滤波电路包括滤波电感L、滤波电容C3、第一电阻R1和第二电阻R2;直流支撑电路包括第一直流支撑电容C1和第二直流支撑电容C2,制动电路包括第一制动IGBT桥臂、第二制动IGBT桥臂和制动电阻Rg,逆变电路包括第一逆变模块、第二逆变模块、第三逆变模块、RCD吸收电路,检测电路包括霍尔电压传感器SV1、第一霍尔电流传感器SC1、第二霍尔电流传感器SC2。解决了牵引有轨电车的直流电机自身结构复杂,制造、维护、维修成本高的问题。

    SiC MOSFET模块仿真模型建模方法及其应用

    公开(公告)号:CN116822449A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310749094.1

    申请日:2023-06-25

    Abstract: 本发明涉及SiC MOSFET模块仿真建模技术领域,具体为SiC MOSFET模块仿真模型建模方法及其应用。其目的在于提供一种基于电磁兼容的SiC MOSFET模块仿真模型建模方法,包括如下步骤:提取SiC MOSFET数据手册中的静态参数特性;六种工况下进行模块的双脉冲实验并提取动态参数;将整个SiC MOSFET模块采用Ansys Q3D软件进行处理并生成等效的电路模型,然后提取其寄生参数,将提取寄生参数后的电路模型链接到时域仿真器中。该仿真模型可以更好地应用于电力电子系统电路仿真,例如:可用于大功率SiC MOSFET功率模块驱动参数适配指导,也可用于大功率变流装置进行电磁兼容等分析等。

    一种碳化硅SiC功率器件的驱动装置及设备

    公开(公告)号:CN116743143A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202210209240.7

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明实施例公开了一种碳化硅(SiC)功率器件的驱动装置及设备,所述装置包括:电源电压转换电路和功率开关电路;所述电源电压转换电路与所述功率开关电路连接;所述电源电压转换电路包括可调电阻、稳压器件和运算放大器件;所述稳压器件分别与所述可调电阻和所述运算放大器件连接;通过调节所述可调电阻的阻值;所述电源电压转换电路,用于提供不同的驱动电压;所述功率开关电路包括开关管和SiC功率器件;所述SiC功率器件与所述开关管连接;所述功率开关电路,用于接收用户的控制指令,根据所述控制指令和所述驱动电压控制所述开关管的导通或关断,基于所述开关管的导通或关断驱动所述SiC功率器件导通或关断。

    IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置

    公开(公告)号:CN114295950A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111428933.7

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明涉及IGBT器件,具体为IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置。为了解决现有技术中难以精确测量IGBT器件集射极电压的问题,故提供了一种新的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置:整流二极管与发射极连接的节点接GND,放大器的反相输入端与第一二极管、第一电阻的节点之间串接有第三电阻、第二二极管,第二二极管与第三电阻的节点通过第二电阻与电源连接,放大器的同相输入端连接于整流二极管与第一电阻的节点,放大器的输出端通过第四电阻连接于第三电阻与放大器的反相输入端的节点,第三电阻与第四电阻的阻值相等,第一二极管与第二二极管的导通压降相等。本发明的可精确、快速检测IGBT的集射极饱和压降。

    一种绞吸式挖泥船电力驱动系统

    公开(公告)号:CN105804139A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610189355.9

    申请日:2016-03-30

    CPC classification number: E02F3/90

    Abstract: 本发明涉及绞吸式挖泥船,具体为一种绞吸式挖泥船电力驱动系统。包括柴油发电机组,变压器组,配电柜1,配电柜2,绞刀驱动装置,水下泥泵驱动装置,舱内泥泵驱动装置,绞车系统驱动装置;柴油发电机组包括发电机G1~G6,变压器组包括变压器T1~T7,配电柜1包括断路器QF1~QF11,配电柜2包括断路器QF12~QF18,绞刀驱动装置包括整流柜ZL1、铰刀电机M1~M2,水下泥泵驱动装置包括整流柜ZL2、水下泵电机M3,舱内泥泵驱动装置包括整流柜ZL3、ZL4、舱内泵电机M5、M6,绞车驱动装置包括整流柜ZL5、横移电机M7、M8、桥架电机M9、桥架电机M10;本发明有效解决了现有绞吸式挖泥船的水下泵和铰刀驱动系统可靠性差、功率等级低、调速范围小、效率低、噪音大等缺点。

    一种基于辅助升压电路的栅极升压IGBT开通电路

    公开(公告)号:CN117424587A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311385295.4

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明功率半导体器件IGBT的控制技术领域,尤其涉及一种基于辅助升压电路的栅极升压IGBT开通电路,解决了背景技术中的技术问题,其包括第一MOS管T1、第二MOS管T2、缓冲转换器U4、施密特反相器U5、三极管T12以及辅助升压电路,辅助升压电路包括三极管T3、三极管T4、电容C4、电阻R8、二极管D4、二极管D5、比较器U1和与非门U3;第一MOS管T1的漏极与第二MOS管T2的源极相连且二者连线通过二极管D1与P15V输出端相连,第一MOS管T1的源极连接至P25V输出端。所述电路可在不额外增加电源的情况下,增加栅极电压,在不同的开通阶段,选择不同的栅极电压,进而达到开通速度快、开通损耗小、电流尖峰小的目的。

    IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置

    公开(公告)号:CN114295950B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202111428933.7

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明涉及IGBT器件,具体为IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置。为了解决现有技术中难以精确测量IGBT器件集射极电压的问题,故提供了一种新的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置:整流二极管与发射极连接的节点接GND,放大器的反相输入端与第一二极管、第一电阻的节点之间串接有第三电阻、第二二极管,第二二极管与第三电阻的节点通过第二电阻与电源连接,放大器的同相输入端连接于整流二极管与第一电阻的节点,放大器的输出端通过第四电阻连接于第三电阻与放大器的反相输入端(56)对比文件刘宾礼,罗毅飞,孟庆云,朱俊杰.一种IGBT传热模型参数等效计算方法《.武汉理工大学学报(交通科学与工程版)》.2017,38-41.

    一种绝缘栅双极型晶体管IGBT驱动装置

    公开(公告)号:CN116800239A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202210272258.1

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本申请实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动装置,所述IGBT驱动装置包括:控制电路和输出电路;所述控制电路的输出端与所述输出电路的输入端连接;所述输出电路包括开关、变压器和至少两路输出支路;所述变压器与所述至少两路输出支路连接;其中,所述控制电路,用于基于输入电压向所述输出电路周期性输入脉冲信号;所述输出电路,用于根据所述脉冲信号控制所述开关处于导通状态或断开状态;在所述开关处于导通状态的情况下,将输入至所述变压器的电压输出至所述至少两路输出支路。

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