公开(公告)号：CN101248536A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680030865.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木山明 ,  森连太郎 ,  稻冈宏弥 ,  一柳昌幸 ,  泽木宣彦 ,  本田善央 ,  柳濑康行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

Abstract: 在利用对于改善晶体质量等有利的气相生长方法的同时，还通过微晶化发光层改善发光效率。用于形成发光层的基材(4)包括单晶基材(1)和设置在该单晶基材(1)上的定向微晶层(3)。构成定向微晶层(3)的各晶体的特定晶轴在相对于单晶基材(1)的特定方向取向，并且构成定向微晶层(3)的各晶体的平均晶粒尺寸为1－1,000nm。发光体(8)包括设置在用于形成发光层的基材(4)中的定向微晶层(3)上的中间层(5)、发光层(6)和包覆层(7)，它们均是通过气相生长方法形成的由氮化物半导体形成的。发光层(6)由平均粒径为1至1,000nm的微晶颗粒形成。