半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109841592A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201811429595.7

    申请日:2018-11-28

    Inventor: 榊原明徳

    Abstract: 本发明是一种半导体装置。半导体装置具备:半导体元件;绝缘基板,其配置有半导体元件;以及外部连接端子,其经由绝缘基板而与半导体元件电连接。绝缘基板具有:绝缘层;内侧导体层,其位于绝缘层的一侧并与半导体元件电连接;以及外侧导体层,其位于绝缘基板的另一侧。外部连接端子沿着其长边方向具有薄壁区间和厚度比薄壁区间大的厚壁区间,且在薄壁区间与绝缘基板的内侧导体层接合。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110858577A

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201910771192.9

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有:绝缘基板、位于该绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于该绝缘基板的另一侧并且体积比第一导体层小的第二导体层。相比第一导体层的材料和第二导体层的材料,绝缘基板的材料的线膨胀系数小、且刚性高。另外,在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。

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