公开(公告)号：CN105590962A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510717810.3

申请日：2015-10-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 松木英夫 ,  榊原纯 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  小野木淳士

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7397

Abstract: 碳化硅半导体装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及周边高击穿电压结构。源区域具有第一凹部。沟槽从第一凹部的底部延伸。栅绝缘膜具有延伸部，延伸部的形状顺着第一凹部的形状。栅极的表面定位成齐平于或者低于延伸部的上表面。