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发明公开
具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119008798A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411142141.7

申请日：2024-08-20

Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司

Inventor： 陈星宇 , 王洪占 , 许晏铭 , 蒋坚 , 杨箫 , 沈研飞

IPC: H01L33/14 , H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的第一半导体层、第一电子阻挡层、有源层、第二电子阻挡层和第二半导体层；第一半导体层为第一导电类型，第二半导体层为第二导电类型，且第二导电类型不同于第一导电类型；第一电子阻挡层和第二电子阻挡层均为AlxIn1‑xP层，0.5≤x≤1。本公开能够有效的增加电子和空穴在有源层内的复合概率，提高了发光二极管芯片的内部量子效率。

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