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公开(公告)号：CN118969935A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410813177.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括外延层、多个导电凸起、介质层、第一透明导电层和金属反射层，多个导电凸起位于外延层的表面，导电凸起包括沿远离外延层的方向依次层叠的过渡层、欧姆接触层和第二透明导电层；介质层覆盖外延层的表面和多个导电凸起的侧壁；第一透明导电层位于介质层的远离外延层的一侧，且与导电凸起连接，第一透明导电层的远离外延层的表面为平面；金属反射层位于第一透明导电层的远离外延层的表面。本公开实施例能提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118825162A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410807942.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的蓝宝石衬底、填平层、键合层和外延层；蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，多个凸起位于本体的表面；填平层覆盖多个凸起，并且填平层的远离蓝宝石衬底的表面为平面。本公开实施例能提高倒装LED的出光效率和发光角度。
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公开(公告)号：CN118588833A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410709769.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底、键合层、反射镜结构、介质层、欧姆接触结构和外延结构；所述欧姆接触结构位于所述外延结构的一面，所述欧姆接触结构包括间隔分布的多个欧姆接触柱，所述介质层包覆所述多个欧姆接触柱，且所述介质层在所述多个欧姆接触柱之间形成多个第一凹槽，所述反射镜结构覆盖所述介质层，且所述反射镜结构在所述多个欧姆接触柱之间形成多个第二凹槽，所述介质层具有多个通孔，所述多个欧姆接触柱通过所述多个通孔分别与所述反射镜结构连接，所述反射镜结构通过所述键合层与所述衬底键合。
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公开(公告)号：CN119317269A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411193096.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、外延层、钝化层和N型电极和N型电极线；外延层位于衬底的一侧，N型电极和N型电极线位于外延层背向衬底的一侧，且N型电极和N型电极线相连；钝化层包括相互间隔的第一保护部和第二保护部，第一保护部覆盖在衬底的外边缘和外延层的外边缘之间，第二保护部覆盖在N型电极的外边缘和外延层之间以及N型电极线外。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的打线可靠性。
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公开(公告)号：CN119029099A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410929596.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。所述方法包括：在生长衬底上制作外延结构；在所述外延结构上制作介质膜层，所述介质膜层具有多个通孔；在所述介质膜层上生长第一金属层，所述第一金属层通过多个所述通孔与所述外延结构电连接通过所述第二金属层将所述第一金属层键合到键合衬底上，并去除所述生长衬底；对所述外延结构进行图形化处理形成台阶结构；对所述外延结构进行氧气吹扫处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119008798A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411142141.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的第一半导体层、第一电子阻挡层、有源层、第二电子阻挡层和第二半导体层；第一半导体层为第一导电类型，第二半导体层为第二导电类型，且第二导电类型不同于第一导电类型；第一电子阻挡层和第二电子阻挡层均为AlxIn1‑xP层，0.5≤x≤1。本公开能够有效的增加电子和空穴在有源层内的复合概率，提高了发光二极管芯片的内部量子效率。
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公开(公告)号：CN119384125A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411227302.2
申请日：2024-09-03
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括：反射层、外延结构、电流扩展层和第一电极，所述外延结构和所述电流扩展层依次层叠在所述反射层上，所述第一电极位于所述电流扩展层上；所述第一电极远离所述电流扩展层的一面开设有凹槽结构，所述凹槽结构的深度小于所述第一电极的厚度的35％，所述凹槽结构的面积小于所述第一电极远离所述电流扩展层的一面的面积的20％。在第一电极远离电流扩展层的一面开设有凹槽结构，从而减少因为形变造成的遮光面积，提高发光二极管亮度。同时，限定凹槽结构的面积占比和深度占比，避免凹槽结构面积过大或深度过深造成电极机械强度低，出现异常形变的情况。
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公开(公告)号：CN118380521A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410447439.2
申请日：2024-04-15
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开公开了一种发光二极管及发光二极管制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层、多量子阱层、Mg阻挡层和第二半导体层，所述Mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为Mg掺杂层。
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公开(公告)号：CN119451335A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411255859.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、银镜反射层、外延结构和包裹结构，所述衬底、所述银镜反射层、所述外延结构依次层叠；所述包裹结构和所述银镜反射层均位于所述外延结构的同一表面上，且所述包裹结构环绕所述银镜反射层。本公开实施例能改善银镜反射层中金属迁移的问题，防止反极性发光二极管漏电。
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公开(公告)号：CN119317279A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411137281.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H29/14 , H10H20/831 , H10H20/84 , H10H20/857
Abstract: 本公开实施例提供了一种提高电流扩展能力的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括发光结构、第一钝化层、连接电极层、第二钝化层和焊盘电极层，连接电极层包括在第一方向上交替间隔布置的条状的多个第一连接电极和条状的多个第二连接电极，第一连接电极和第二连接电极的长度方向均为第二方向，第一方向和第二方向相交；每个第一连接电极通过贯穿第一钝化层的多个第一通孔与多个凹槽中的第一半导体层电连接，每个第二连接电极通过贯穿第一钝化层的多个第二通孔与第二半导体层电连接。本公开实施例能提高LED的发光效率和可靠性，并降低LED的驱动电压。
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