公开(公告)号：CN119208480A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411077733.5

申请日：2024-08-07

Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司

Inventor： 沈研飞 ,  王洪占 ,  许晏铭 ,  蒋坚 ,  杭伟 ,  黄庆

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括第一电流扩展层、外延层和第二电流扩展层；第一电流扩展层和第二电流扩展层分别位于外延层的相反两侧；第一电流扩展层包括周期性交替层叠的阱层和垒层，阱层为(Alx1Ga1‑x1)0.5In0.5P层，0.1≤x1≤0.2，垒层为(Alx2Ga1‑x2)0.5In0.5P层，0.3≤x2≤0.4，阱层的厚度大于垒层的厚度。本公开能够有效的解决吸光的问题。

公开(公告)号：CN119317269A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411193096.8

申请日：2024-08-28

Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司

Inventor： 沈研飞 ,  许晏铭 ,  罗岩 ,  王洪占

IPC: H10H20/84 ,  H10H20/83 ,  H10H20/01

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、外延层、钝化层和N型电极和N型电极线；外延层位于衬底的一侧，N型电极和N型电极线位于外延层背向衬底的一侧，且N型电极和N型电极线相连；钝化层包括相互间隔的第一保护部和第二保护部，第一保护部覆盖在衬底的外边缘和外延层的外边缘之间，第二保护部覆盖在N型电极的外边缘和外延层之间以及N型电极线外。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的打线可靠性。

公开(公告)号：CN119008798A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411142141.7

申请日：2024-08-20

Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司

Inventor： 陈星宇 ,  王洪占 ,  许晏铭 ,  蒋坚 ,  杨箫 ,  沈研飞

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的第一半导体层、第一电子阻挡层、有源层、第二电子阻挡层和第二半导体层；第一半导体层为第一导电类型，第二半导体层为第二导电类型，且第二导电类型不同于第一导电类型；第一电子阻挡层和第二电子阻挡层均为AlxIn1‑xP层，0.5≤x≤1。本公开能够有效的增加电子和空穴在有源层内的复合概率，提高了发光二极管芯片的内部量子效率。