半导体封装的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107571433B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201710445072.0

    申请日:2017-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种半导体封装的制造方法,其包括:准备脱模膜(10)的步骤,所述脱模膜(10)包含具有脱模性的支撑层(11)、与设于该支撑层(11)的单面的临时转印层(12);介隔脱模膜(10)而利用成形模对树脂进行挤压成形的步骤;将脱模膜(10)的临时转印层(12)转印于树脂成形品的密封部(25)的步骤;将转印于密封部(25)的临时转印层(12)除去的步骤;本发明的目的在于提供对粘着性高的树脂进行成形而成的树脂成形品的新的制造方法。

    脱模膜及树脂成形品的制造方法

    公开(公告)号:CN107571433A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710445072.0

    申请日:2017-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种脱模膜,其是用于树脂成形中的脱模膜,其特征在于:包含具有脱模性的支撑层、与设于所述支撑层的单面的临时转印层,所述临时转印层将至少一部分转印于树脂成形品上,将其自所述树脂成形品除去;一种树脂成形品的制造方法,其包括:准备脱模膜(10)的步骤,所述脱模膜(10)包含具有脱模性的支撑层(11)、与设于该支撑层(11)的单面的临时转印层(12);介隔脱模膜(10)而利用成形模对树脂进行挤压成形的步骤;将脱模膜(10)的临时转印层(12)转印于树脂成形品的密封部(25)的步骤;将转印于密封部(25)的临时转印层(12)除去的步骤;本发明的目的在于提供对粘着性高的树脂进行成形而成的树脂成形品的新的制造方法。

    脱模膜及脱模膜的制造方法

    公开(公告)号:CN111936283A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201980023932.9

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 本发明提供一种在树脂成形时能够将电磁屏蔽层转印至树脂成形品的表面的脱模膜。脱模膜(10)为用于树脂成形的脱模膜,具有:基材(20),具有与模具的脱模性,并构成第一表面(15);以及电磁屏蔽层(21),直接或间接地形成于所述基材上,并被转印至树脂成形品。

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