-
公开(公告)号：CN107571433B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710445072.0
申请日：2017-06-13
IPC: B29C33/68
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装的制造方法，其包括：准备脱模膜(10)的步骤，所述脱模膜(10)包含具有脱模性的支撑层(11)、与设于该支撑层(11)的单面的临时转印层(12)；介隔脱模膜(10)而利用成形模对树脂进行挤压成形的步骤；将脱模膜(10)的临时转印层(12)转印于树脂成形品的密封部(25)的步骤；将转印于密封部(25)的临时转印层(12)除去的步骤；本发明的目的在于提供对粘着性高的树脂进行成形而成的树脂成形品的新的制造方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107571433A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710445072.0
申请日：2017-06-13
IPC: B29C33/68
Abstract: 本发明涉及一种脱模膜，其是用于树脂成形中的脱模膜，其特征在于：包含具有脱模性的支撑层、与设于所述支撑层的单面的临时转印层，所述临时转印层将至少一部分转印于树脂成形品上，将其自所述树脂成形品除去；一种树脂成形品的制造方法，其包括：准备脱模膜(10)的步骤，所述脱模膜(10)包含具有脱模性的支撑层(11)、与设于该支撑层(11)的单面的临时转印层(12)；介隔脱模膜(10)而利用成形模对树脂进行挤压成形的步骤；将脱模膜(10)的临时转印层(12)转印于树脂成形品的密封部(25)的步骤；将转印于密封部(25)的临时转印层(12)除去的步骤；本发明的目的在于提供对粘着性高的树脂进行成形而成的树脂成形品的新的制造方法。
-
公开(公告)号：CN105358308A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480040329.9
申请日：2014-07-15
Applicant: 仓敷纺绩株式会社
CPC classification number: B29C37/0075 , B29C43/02 , B29K2025/06 , C08J5/18 , C08J2325/06
Abstract: 本发明提供耐热尺寸稳定性和耐卷曲性充分优异的聚苯乙烯系脱模膜。本发明涉及脱模膜，其为由含有间规聚苯乙烯系树脂的双轴取向聚苯乙烯系膜构成的脱模膜，其特征在于，至少单面进行了消光加工，该脱模膜的卷曲率为80%以下。
-
公开(公告)号：CN108068300B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201711096427.6
申请日：2017-11-09
Applicant: 仓敷纺绩株式会社
Abstract: 本发明提供一种更廉价的具有粗糙面的聚苯乙烯系膜及多层膜。一种聚苯乙烯系膜，其含有间规聚苯乙烯系树脂及球状填料，经双轴取向，光泽度为30％以下、表面粗糙度(Ra)为0.8μm以上、拉伸伸长率为15％以上。优选为所述球状填料为非晶质二氧化硅，更优选为所述球状填料为熔融二氧化硅。
-
-
公开(公告)号：CN108068300A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711096427.6
申请日：2017-11-09
Applicant: 仓敷纺绩株式会社
CPC classification number: B29C55/16 , B29K2025/06 , B29L2007/00 , B29L2009/00
Abstract: 本发明提供一种更廉价的具有粗糙面的聚苯乙烯系膜及多层膜。一种聚苯乙烯系膜，其含有间规聚苯乙烯系树脂及球状填料，经双轴取向，光泽度为30％以下、表面粗糙度(Ra)为0.8μm以上、拉伸伸长率为15％以上。优选为所述球状填料为非晶质二氧化硅，更优选为所述球状填料为熔融二氧化硅。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.028 seconds)
