π共轭系聚合物的制造方法

    公开(公告)号:CN114174374A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080053188.X

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 本发明提供即使包括伴随加热的精制工序也能够抑制有机光电转换元件的暗电流的升高的π共轭系聚合物的制造方法。一种π共轭系聚合物的制造方法,包括将π共轭系粗聚合物加热溶解在溶剂中而得到聚合物溶液的工序(I)、以及使π共轭系聚合物从该聚合物溶液中析出的工序(II),其中,在工序(I)中,该溶剂中的过氧化物含量以利用高效液相色谱测定的相对面积比计为0.1%以下,该π共轭系聚合物的电子自旋浓度为30×1016Spin/g以下和/或为π共轭系粗聚合物的电子自旋浓度的2.5倍以下。

    光电转换元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111247655B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201880068499.6

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本发明降低暗电流。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中,活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料,该p型半导体材料是聚苯乙烯换算重均分子量为40000以上200000以下的高分子化合物,在对利用透射型电子显微镜观察到的上述活性层的图像进行二值化而得到的图像中,p型半导体材料的相与n型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为130μm以上且小于200μm。

    光电转换元件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111247655A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201880068499.6

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本发明降低暗电流。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中,活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料,该p型半导体材料是聚苯乙烯换算重均分子量为40000以上200000以下的高分子化合物,在对利用透射型电子显微镜观察到的上述活性层的图像进行二值化而得到的图像中,p型半导体材料的相与n型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为130μm以上且小于200μm。

    π共轭系聚合物的制造方法

    公开(公告)号:CN114174374B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202080053188.X

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 本发明提供即使包括伴随加热的精制工序也能够抑制有机光电转换元件的暗电流的升高的π共轭系聚合物的制造方法。一种π共轭系聚合物的制造方法,包括将π共轭系粗聚合物加热溶解在溶剂中而得到聚合物溶液的工序(I)、以及使π共轭系聚合物从该聚合物溶液中析出的工序(II),其中,在工序(I)中,该溶剂中的过氧化物含量以利用高效液相色谱测定的相对面积比计为0.1%以下,该π共轭系聚合物的电子自旋浓度为30×1016Spin/g以下和/或为π共轭系粗聚合物的电子自旋浓度的2.5倍以下。

    有机光电转换元件的制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113169277A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980077017.8

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 本发明能够不依赖于材料合成的时机而按需制造有机光电转换元件。一种有机光电转换元件的制造方法,其是具备包括阳极和阴极的1对电极、以及设置在该1对电极之间且包含π共轭系聚合物的有源层的有机光电转换元件的制造方法,其中,所述制造方法包括:保管工序,将π共轭系聚合物保管在封入容器中,所述封入容器的内部为抑制π共轭系聚合物的电子自旋浓度上升的气氛;以及使用保管后的所述π共轭系聚合物形成有源层的工序。

    组合物和油墨组合物
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118076663A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202280067325.4

    申请日:2022-10-06

    Abstract: 本发明的课题在于抑制油墨组合物的经时的粘度增大。本发明涉及一种组合物,其含有包含下述式(I)所示的结构单元的2种以上的高分子化合物,2种以上的高分子化合物中的至少1种是具有与A所示的2价有机基团键合的下述式(II)所示的末端结构的高分子化合物,通过红外光谱法测定时的来自于下述式(II)所示的末端结构的峰强度相对于来自于全部高分子化合物中所含的主链的峰强度的比例为3.7%以下。式(I)和(II)中,A、B和Y如说明书中所定义。#imgabs0#

    光电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111263984A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201880068532.5

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本发明提供一种能够减小比暗电流的光电转换元件。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中,活性层包含带隙为0.5eV~1.58eV的p型半导体材料、以及n型半导体材料,该n型半导体材料为C60富勒烯衍生物,在对利用透射型电子显微镜观察到的活性层的图像进行二值化而得到的图像中,n型半导体材料的相与p型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为120μm~170μm。

    油墨组合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN115052939B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202180013255.X

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本发明进一步提高油墨组合物的粘度的测定精度。一种用于形成有机光电转换元件的功能层的油墨组合物,其中,每1L体积的电子自旋浓度为250×1016以下。可以是包含溶剂和p型半导体材料的油墨组合物。可以是上述p型半导体材料包含每1g重量的电子自旋浓度为70×1016以下的高分子化合物的油墨组合物。可以是上述溶剂包含1种以上的有机溶剂,上述p型半导体材料包含π共轭高分子化合物的油墨组合物,该π共轭高分子化合物包含供体结构单元和受体结构单元。

    油墨组合物及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115052939A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202180013255.X

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本发明进一步提高油墨组合物的粘度的测定精度。一种用于形成有机光电转换元件的功能层的油墨组合物,其中,每1L体积的电子自旋浓度为250×1016以下。可以是包含溶剂和p型半导体材料的油墨组合物。可以是上述p型半导体材料包含每1g重量的电子自旋浓度为70×1016以下的高分子化合物的油墨组合物。可以是上述溶剂包含1种以上的有机溶剂,上述p型半导体材料包含π共轭高分子化合物的油墨组合物,该π共轭高分子化合物包含供体结构单元和受体结构单元。

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