公开(公告)号：CN1457507A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800537.6

申请日：2002-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  目崎义雄 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  H01L21/02024

Abstract: 化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。

公开(公告)号：CN100589236C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710104113.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  田中聪 ,  堀江裕介 ,  冲田恭子 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。

公开(公告)号：CN100405553C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN02800537.6

申请日：2002-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  目崎义雄 ,  森本俊之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  H01L21/02024

Abstract: 化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。

公开(公告)号：CN101075570A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710104113.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  田中聪 ,  堀江裕介 ,  冲田恭子 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。