公开(公告)号：CN101536157B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780031644.5

申请日：2007-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木下博之 ,  须田淳 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明是一种用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在其上形成半导体层的主表面具有由平坦台地和台阶组成的台阶-台地结构。用于制造碳化硅衬底的该方法其特征在于，原始材料衬底的主表面(1)的表面取向相对于(0001)面倾斜0.03°至1°的角度，并且以1250℃至1700℃执行氢气蚀刻。还公开了一种SiC衬底，其只具有很少的螺旋凹陷并且表面平坦度极好。

公开(公告)号：CN101536157A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780031644.5

申请日：2007-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木下博之 ,  须田淳 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明是一种用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在其上形成半导体层的主表面具有由平坦台地和台阶组成的台阶－台地结构。用于制造碳化硅衬底的该方法其特征在于，原始材料衬底的主表面(1)的表面取向相对于(0001)面倾斜0.03°至1°的角度，并且以1250℃至1700℃执行氢气蚀刻。还公开了一种SiC衬底，其只具有很少的螺旋凹陷并且表面平坦度极好。