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公开(公告)号：CN1249533A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120381.X
申请日：1999-09-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/461 , C30B33/08 , C23F1/10
CPC classification number: H01L21/465
Abstract: 本发明提供一种Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体衬底的表面清洗方法,其中可以减小在生长外延层时,在衬底的表面上新产生的对半导体器件的性能产生很大有害影响的晶体缺陷密度,并且衬底的表面是镜面般的且非常平坦和清洁。该方法包括:去掉Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体衬底表面上受到破坏的层的工序,和腐蚀化合物半导体衬底表面的工序,从该表面上已去掉受到破坏的层,去掉的范围在0.01到3微米,所使用的腐蚀剂至少含有重铬酸钾、硫酸和水。
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