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公开(公告)号：CN110747507B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910916681.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
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公开(公告)号：CN110747507A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910916681.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
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公开(公告)号：CN1249533A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120381.X
申请日：1999-09-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/461 , C30B33/08 , C23F1/10
CPC classification number: H01L21/465
Abstract: 本发明提供一种Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体衬底的表面清洗方法,其中可以减小在生长外延层时,在衬底的表面上新产生的对半导体器件的性能产生很大有害影响的晶体缺陷密度,并且衬底的表面是镜面般的且非常平坦和清洁。该方法包括:去掉Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体衬底表面上受到破坏的层的工序,和腐蚀化合物半导体衬底表面的工序,从该表面上已去掉受到破坏的层,去掉的范围在0.01到3微米,所使用的腐蚀剂至少含有重铬酸钾、硫酸和水。
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公开(公告)号：CN106574397B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
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公开(公告)号：CN106574397A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924823A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049960.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: C30B25/08 , C30B25/165 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/2053 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/78
Abstract: 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10-4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10-3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10-2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10-1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm-3以上且2×1016cm-3以下。
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公开(公告)号：CN106715767A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580053722.6
申请日：2015-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L29/34
Abstract: 碳化硅外延基板(100)包含：碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。
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公开(公告)号：CN103237590B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180058042.5
申请日：2011-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M8/1007 , B01D53/32 , B01D2257/406 , B01D2258/0216 , H01M4/8885 , H01M8/004 , H01M8/0232 , H01M8/0245 , H01M8/0247 , H01M8/0637 , H01M8/086 , H01M8/1006 , H01M8/124 , H01M8/222 , H01M2008/1095 , H01M2008/1293 , H01M2008/147 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02E60/526 , Y02E60/566 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了一种气体分解组件，其中采用了使用固体电解质的电化学反应以降低运行成本并且提供高处理性能，本发明还提供了气体分解组件的制造方法以及发电装置。气体分解组件(10)包括：筒状体MEA(7)，其包括布置于内表面侧的第一电极(2)、布置于外表面侧的第二电极(5)、以及夹在第一电极与第二电极之间的固体电解质(1)；以及多孔金属体(11s)，其插入在筒状体MEA内表面侧，并且与第一电极电连接，其中，本气体分解组件进一步包括形成于第一电极内周面的多孔导电膏涂布层(11g)、以及布置于导电膏涂布层内周侧的金属网片(11a)，并且通过该导电膏涂布层和该金属网片在第一电极与多孔金属体之间建立电连接。
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公开(公告)号：CN107924823B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680049960.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10‑4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10‑3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10‑2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10‑1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm‑3以上且2×1016cm‑3以下。
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公开(公告)号：CN105579625A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480048923.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/20 , C30B29/64 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
Abstract: 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。
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