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公开(公告)号：CN100354700C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510084533.3
申请日：2002-12-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种使类金刚石碳薄膜发生质变的方法，包括如下步骤：利用粒子束或能量束照射类金刚石碳薄膜的至少一个区域，以提高该区域的折射率，从而在所述类金刚石碳薄膜内形成分布式折射率结构。本发明的类金刚石碳薄膜的特征在于其折射率分布呈现为一种相对该薄膜的厚度倾斜地取向的图案。
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公开(公告)号：CN101014899A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030355.4
申请日：2005-08-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/1335 , G03B21/00 , G09F9/00
CPC classification number: G02B3/0087 , G02B3/0018 , G02B3/0031 , G02F1/133526
Abstract: 本发明提供一种透射型显示面板，包括：按阵列形式布置的多个透明控制区域(5、10)；不透明边界区域(2、3)，其位于每个透明控制区域周围；以及微透镜阵列，其包括按阵列形式布置以与多个透明控制区域对应的多个微透镜(20b)。每个微透镜起到下述作用：使将要直接照射到不透明边界区域的入射光会聚于相应的一个透明控制区域。该微透镜阵列是使用透明的类金刚石碳(DLC)薄膜(20a)而形成的。DLC薄膜包括与每个微透镜对应的具有受调制的折射率的区域，当光束穿过该具有受调制的折射率的区域时，该DLC薄膜产生光会聚效应。通过将DLC薄膜上的微透镜阵列应用于透射型显示面板，可以用简单的方式且以低廉的成本提供显示亮度得到提高的透射型显示面板。
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公开(公告)号：CN1692536A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100294.5
申请日：2003-12-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , G02B1/02 , G02B5/1857 , G02B5/1871 , G02B27/1086
Abstract: 本发明以高效率、低成本提供一种实用的微型光发射器件，其在光输出面上具有光衍射膜。该光发射器件(LD)包括形成在其光输出面上的衍射膜(DF)；该衍射膜包括一个透明DLC(似金刚石碳)层；并且，该DLC层包括一个折射率调制型衍射光栅，该衍射光栅包含具有相对较高折射率的局部区域和具有相对较低折射率的局部区域。
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公开(公告)号：CN1606704A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN03801786.5
申请日：2003-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B26/0808 , G02B5/1857 , G02B5/1866
Abstract: 有效地并且以低成本制造成实际可用的衍射光学元件。一种折射率经过调制的衍射光学元件，所述元件包括形成在透明衬底(1)上的透明的DLC(钻石状碳)膜(2)，其中所述DLC膜(2)包括具有较高折射指数的局部区域(2a)和较低折射指数的局部区域(2)的衍射光栅。通过等离子CVD技术可容易地将所述DLC膜(2)沉积在衬底(1)上，并且DLC膜中的高折射指数的局部区域(2a)可通过用诸如离子束的能量束(4)照射而容易地形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104835852B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510063849.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
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公开(公告)号：CN101283453A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037634.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621
Abstract: 本发明公开一种固态成像装置，包括：多个光电二极管区域(2)，其以阵列方式排列；不透光分界区域(6)，其存在于每个光电二极管区域周围；以及微透镜阵列(8a)，其包括与所述多个光电二极管区域对应地以阵列方式排列的多个微透镜；其中，每个微透镜用于使得朝向对应光电二极管区域周围的不透光分界区域直线传播的入射光会聚到所述光电二极管区域内，微透镜阵列是使用透光类金刚石碳(DLC)膜而形成的，所述DLC膜包括与各微透镜对应的折射率受调制的区域，当光束通过所述折射率受调制的区域时产生光会聚效应。
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公开(公告)号：CN101253426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032121.8
申请日：2006-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/00 , G02B5/1857 , G02B6/1221 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种光学装置，该光学装置包括含有硅、氧、碳和氢作为主要成分的透明薄膜，其中所述薄膜包括具有较高折射率的局部区和具有较低折射率的局部区。
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公开(公告)号：CN1989069A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024200.X
申请日：2005-04-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B5/1866 , B01D53/228 , B01D67/002 , B01D67/0072 , B01D69/141 , B01D71/021 , B01D2323/34 , C01B32/05 , C23C14/0605 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种具有新颖性能的含氢碳膜。例如，可以有效地防止在基底上形成的该含氢碳膜从基底上剥离。该含氢碳膜含有碳和氢。一种该含氢碳膜的氢含量大于50原子％并且小于65原子％、该膜的密度大于1.3g/cm3并且小于1.5g/cm3。另一种该含氢碳膜的氢含量大于0原子％并且小于50原子％、该膜的密度大于1.4g/cm3并且小于1.9g/cm3。再一种所述的含氢碳膜可以包括其中氢含量高于50原子％的区域和其中氢含量低于50原子％的区域。
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