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公开(公告)号：CN107112201B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580073159.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供了磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法，通过该制造磷化铟衬底的方法，致使所述衬底上生长的外延膜优异地均匀，由此允许提高使用该外延膜形成的外延晶片的PL特性和电特性的改进。磷化铟衬底具有第一主表面和第二主表面。该磷化铟衬底在第一主表面上的中心位置处具有表面粗糙度Ra1而在四个位置处具有表面粗糙度Ra2、Ra3、Ra4和Ra5，这四个位置沿着第一主表面的外边缘等距地布置并且位于从外边缘向内5mm的距离处。表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的平均值m1是0.5nm或更小，并且表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的标准偏差σ1是0.2nm或更小。
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公开(公告)号：CN110114518A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080692.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种具有第一表面的GaAs衬底。存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm2所述第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm2第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。
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公开(公告)号：CN111952150A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010677512.7
申请日：2015-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/34 , B24B37/08 , B24B37/10 , B24B57/02 , C30B25/20 , C30B29/40 , C30B33/00 , G01B5/28 , G01Q60/24 , H01L33/00 , C30B11/00
Abstract: 一种磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法。磷化铟衬底具有第一和第二主表面；第一主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra1，在四个位置处具有表面粗糙度Ra2至Ra5，四个位置沿第一主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra1至Ra5的平均值m1是0.4nm或更小并且标准偏差σ1是平均值m1的10％或更小；第二主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra6，在四个位置处具有表面粗糙度Ra7至Ra10，四个位置沿第二主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra6至Ra10的平均值m2是大于0.4nm且3nm或更小并且标准偏差σ2是平均值m2的10％或更小。
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公开(公告)号：CN107112201A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073159.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供了磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法，通过该制造磷化铟衬底的方法，致使所述衬底上生长的外延膜优异地均匀，由此允许提高使用该外延膜形成的外延晶片的PL特性和电特性的改进。磷化铟衬底具有第一主表面和第二主表面。该磷化铟衬底在第一主表面上的中心位置处具有表面粗糙度Ra1而在四个位置处具有表面粗糙度Ra2、Ra3、Ra4和Ra5，这四个位置沿着第一主表面的外边缘等距地布置并且位于从外边缘向内5mm的距离处。表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的平均值m1是0.5nm或更小，并且表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的标准偏差σ1是0.2nm或更小。
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公开(公告)号：CN101315910A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710167164.3
申请日：2007-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/42 , C30B33/10 , H01L21/02008 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/3245
Abstract: 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110114518B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201780080692.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种具有第一表面的GaAs衬底。存在于所述第一表面中的长径0.16μm以上的粒子在每cm2所述第一表面中的数量和存在于第二表面中的长径0.16μm以上的损伤在每cm2第二表面中的数量的总和为小于或等于2.1，所述第二表面通过在深度方向上腐蚀所述第一表面0.5μm而形成。
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公开(公告)号：CN111263833B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880068736.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN101315910B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710167164.3
申请日：2007-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/42 , C30B33/10 , H01L21/02008 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/3245
Abstract: 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X-射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As-O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga-O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。
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公开(公告)号：CN111952150B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010677512.7
申请日：2015-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/34 , B24B37/08 , B24B37/10 , B24B57/02 , C30B25/20 , C30B29/40 , C30B33/00 , G01B5/28 , G01Q60/24 , H01L33/00 , C30B11/00
Abstract: 一种磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法。磷化铟衬底具有第一和第二主表面；第一主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra1，在四个位置处具有表面粗糙度Ra2至Ra5，四个位置沿第一主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra1至Ra5的平均值m1是0.4nm或更小并且标准偏差σ1是平均值m1的10％或更小；第二主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra6，在四个位置处具有表面粗糙度Ra7至Ra10，四个位置沿第二主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处，表面粗糙度Ra6至Ra10的平均值m2是大于0.4nm且3nm或更小并且标准偏差σ2是平均值m2的10％或更小。
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公开(公告)号：CN111406130B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201880052390.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm‑3以上且3.0×1019cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm‑2以上且15000cm‑2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm‑3以上且5.0×1017cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm‑2以上且20000cm‑2以下的平均位错密度。
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