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公开(公告)号：CN106164016B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201580019472.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN109476549A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044470.X
申请日：2017-02-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
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公开(公告)号：CN101078613A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710103255.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/545 , C23C14/562
Abstract: 在用于连续测量涂层的厚度的测量机构中，该测量机构设置在用于在导电细长基底材料(1)被供给的同时在该基底材料(1)上形成涂层的设备中，用于测量涂层的电容的探测部分(4、8)布置在基底工作站之前和之后，在探测部分(4、8)施加到基底材料(1)的张力被设定成大于在基底工作站施加到基底材料(1)上的张力。从而，在基底材料(1)被连续供给的同时在细长基底材料(1)上形成涂层的过程中，供给速度的变动被抑制，在供给过程中在厚度探测部分(4、8)处沿厚度方向的测量表面的摆动被最小化，且可以高精度测量涂层的厚度。
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公开(公告)号：CN105899472A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN103875077A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1966757B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610160377.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/20 , C23C14/546 , C23C14/562
Abstract: 在长条状基材上沿其纵向沉积具有均匀厚度薄膜的沉积作业初步试验中，测量从沉积作业开始时的经过时间以及在该经过时间下电源的输出功率。并将所得到的经过时间和输出功率之间的关系储存在存储装置中。随后通过这样一种方法，在长条状基材上进行沉积，其中首先在沉积作业开始之前的预加热步骤中，使用晶体振荡器测厚仪，将该电源的输出功率控制稳定在期望值，然后驱动该基材输送装置，从而在获得期望的沉积速度之后，在该长条状基材上开始沉积作业。在开始该沉积作业之后，将电源的输出功率控制成与储存在该存储装置中的该经过时间下的输出功率相一致。
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公开(公告)号：CN110312691B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780086594.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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公开(公告)号：CN109906211B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780067435.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN109906211A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067435.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN105745183B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201580002686.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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