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公开(公告)号：CN107068527B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610831654.8
申请日：2016-09-19
Applicant: 住友重机械离子技术有限公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
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公开(公告)号：CN105428193A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510477413.3
申请日：2015-08-06
Applicant: 住友重机械离子技术有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/24514
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子束的调整方法，其课题在于在避免离子注入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子注入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112)，所述标准狭缝开口用于在所给注入条件下进行的注入处理；所述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度，且为了调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给注入条件，以便使向高频线性加速器供给的离子的至少一部分加速至目标能量，并且使通过射束测量部测量的射束电流量与目标射束电流量相当。
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公开(公告)号：CN105428193B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510477413.3
申请日：2015-08-06
Applicant: 住友重机械离子技术有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/24514
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子束的调整方法，其课题在于在避免离子注入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子注入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112)，所述标准狭缝开口用于在所给注入条件下进行的注入处理；所述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度，且为了调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给注入条件，以便使向高频线性加速器供给的离子的至少一部分加速至目标能量，并且使通过射束测量部测量的射束电流量与目标射束电流量相当。
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公开(公告)号：CN107068527A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610831654.8
申请日：2016-09-19
Applicant: 住友重机械离子技术有限公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
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