公开(公告)号：CN103107056B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201110354972.7

申请日：2011-11-10

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 彭立波 ,  龙会跃 ,  谢均宇

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J49/30 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束分析器，用于从宽带离子束中分离出所需的离子，包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭，其中：所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界和出射端边界；所述入射端边界和出射端边界的弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径。本发明通过采用具有弧形入射端边界和出射端边界的上磁极和下磁极，且弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径，使得宽带离子束中所需的离子能够在磁场中部理想聚焦，得到焦斑尺寸等于0的理想焦点，可以通过选取合适的最小的分析缝宽度而获得最佳的分析分辨率，实现宽带离子束中所需的离子与其他离子完全分离。

公开(公告)号：CN101558469B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200780034611.6

申请日：2007-09-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 波·凡德尔贝格 ,  罗伯特·拉特梅尔 ,  爱德华·艾斯纳

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055

Abstract: 一种磁性扫描器，采用恒定的磁场来减轻零磁场效应。该扫描器包含上极器件以及下极器件，用于在离子束的路径上产生振荡时变磁场并且在扫描方向上偏转该离子束。一组入口磁铁被设置在该扫描器的入口附近并且在该离子束的路径上产生恒定的入口磁场。一组出口磁铁被设置在该扫描器的出口附近并且在该离子束的路径上产生恒定的出口磁场。

公开(公告)号：CN101935824A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910054410.3

申请日：2009-07-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 吴汉明 ,  李家豪 ,  陈军

IPC: C23C14/48 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/0825 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法、离子注入设备及形成轻掺杂结构的方法，形成轻掺杂结构的方法包括步骤：提供半导体衬底；发射离子束；将离子束进行加速，使得加速后的所述离子束包括至少两部分能量不同的第一部分离子和第二部分离子，其中所述第一部分离子的能量为第一能量，所述第二部分离子的能量为第二能量，且所述第一能量大于所述第二能量；将加速后的所述离子束进行偏转；将偏转后的所述离子入射所述半导体衬底。本发明采用在一次离子注入中注入不同能量的离子，使得形成的具有轻掺杂结构的MOS器件的饱和电流增大，而且漏电流减小，并且简化了离子注入工艺。

公开(公告)号：CN101103432A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200580046588.3

申请日：2005-11-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  唐纳·L·史麦特雷克 ,  詹姆士·贝福 ,  艾立克·赫尔曼森

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/026 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H05H7/08

Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。

公开(公告)号：CN106804114A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201580034881.1

申请日：2015-06-25

Applicant: 加坦公司

Inventor： 亚历山大·约瑟夫·古本斯 ,  科林·特雷弗 ,  雷伊·达德利·特韦斯顿 ,  梅勒妮·巴费尔斯

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/2802

Abstract: 本发明公开了一种用于电子显微镜的电子能量损失光谱仪，其中，电隔离漂移管延伸穿过弯转磁铁，以及穿过将光谱聚焦且放大的后续光学器件。漂移管的前端、后端或前后两端设置有静电透镜或磁透镜，根据弯转磁铁漂移管的电压调节透镜，以保持恒定的净焦距，同时避免出现散焦。特定实施例中包含有能量选择狭缝，可彻底拦截分散在入射到检测器上的能量范围外的电子，从而消除向光谱散射回的多余电子造成的假象。

公开(公告)号：CN103377865B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210118487.4

申请日：2012-04-20

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 彭立波 ,  龙会跃 ,  谢均宇

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/1472 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152

Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束传输方法，其采用两个独立的磁场：分析磁场和校正磁场，以及分析光栏对宽带离子束进行传输；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转；本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转，使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。

公开(公告)号：CN104425200A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410369393.3

申请日：2014-07-30

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 狩谷宏行

IPC: H01J37/317 ,  G01R33/02

CPC classification number: H01J37/243 ,  G01R33/07 ,  G01R33/072 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/248 ,  H01J2237/3045

Abstract: 本发明提供一种与磁场测定有关且有助于提高生产性的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(100)具备配设于离子源与处理室之间的能量分析电磁铁(24)。能量分析电磁铁(24)具备：霍尔元件(110)，根据偏转磁场生成测定输出；及NMR元件(112)，生成NMR输出。离子注入装置(100)的控制部(102)具备：磁场测定部(114)，根据偏转磁场与测定输出之间已知的对应关系测定偏转磁场；磁场决定部(118)，根据NMR输出决定偏转磁场；及霍尔元件校正部(120)，利用根据NMR输出决定的偏转磁场和与该偏转磁场对应的霍尔元件(110)的新的测定输出来更新已知的对应关系。

公开(公告)号：CN102292792A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005105.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 伯·范德伯格 ,  威廉·迪韦尔吉利奥

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055

Abstract: 一种离子注入方法和系统包括束中和以减轻束散，该束散在低能大电流离子束中可能是特别有问题的。束中和部件可以位于其中扩大可能发生的系统中。中和部件包括变化的激励场产生部件，其产生中和离子束的等离子体，由此减轻束散。以变化的频率和/或场强度产生激励场，以维持中和等离子体，同时减轻降低中和等离子体的作用的等离子体壳层的形成。

公开(公告)号：CN101114565B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710110263.8

申请日：2007-06-08

Applicant: 日新意旺机械股份有限公司

Inventor： 土肥正二郎

IPC: H01J49/02 ,  H01J37/02 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J49/30 ,  H01J37/1475 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/153 ,  H01J2237/31701

Abstract: 在分析电磁体40中，沿离子束2的传播方向，将其中弯曲平面图形状的磁极的每一个划分成三个部分磁极81至83。朝弯曲部分的外部，加宽如从离子束2的入口计数的第一和第三部分磁极对81、83的间隙，以及朝弯曲部分的内部，加宽第二部分磁极对82的间隙。

公开(公告)号：CN105428193B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201510477413.3

申请日：2015-08-06

Applicant: 住友重机械离子技术有限公司

Inventor： 渡边一浩 ,  高桥裕二 ,  上野勇介

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/24514

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子束的调整方法，其课题在于在避免离子注入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子注入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112)，所述标准狭缝开口用于在所给注入条件下进行的注入处理；所述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度，且为了调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给注入条件，以便使向高频线性加速器供给的离子的至少一部分加速至目标能量，并且使通过射束测量部测量的射束电流量与目标射束电流量相当。