焊料接合电极以及焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶

    公开(公告)号:CN110317969B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN201910242445.3

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 提供一种具备具有优异的焊料润湿性的铜合金覆膜的焊料接合电极,以及能够形成该铜合金覆膜的、焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶,所述焊料接合电极与使用了以银作为主要成分的合金靶的溅射成膜相比,能够减少覆膜形成成本,并且即使对于近年来尺寸、形状已经微细化的接合部而言也显示良好的焊料接合性。具有如下的铜合金覆膜:由铜、银、镍和钯的合金形成,以铜作为主要成分,以大于10质量%且小于50质量%的比例含有银、以大于0.05质量%且小于1.0质量%的比例含有镍、以大于0.1质量%且小于1.0质量%的比例含有钯。

    透明氧化物层叠膜、透明氧化物层叠膜的制造方法和透明树脂基板

    公开(公告)号:CN111868293A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980019836.7

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的透明性、良好的水蒸气阻隔性能、以及耐化学试剂性的透明氧化物层叠膜及其制造方法、以及使用该透明氧化物层叠膜的透明树脂基板。一种透明氧化物层叠膜,将多层含有Zn和Sn的透明氧化物膜层叠而成,所述透明氧化物层叠膜由各层中Zn与Sn的金属原子数比不同的非晶质透明氧化物膜构成。此外,一种透明氧化物层叠膜的制造方法,使用由Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体构成的靶进行溅射,至少使用第1靶和第2靶来形成透明氧化物层叠膜,所述第1靶具有以金属原子数比计Sn/(Zn+Sn)为0.18以上0.29以下的氧化物烧结体,所述第2靶具有以金属原子数比计Sn/(Zn+Sn)为0.44以上0.90以下的氧化物烧结体。

    Sn-Zn-O系氧化物烧结体和其制造方法

    公开(公告)号:CN110573474A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201880028756.3

    申请日:2018-02-06

    Abstract: 提供:也能用于阻隔膜、保护膜等用途、高密度且低电阻的Sn-Zn-O系氧化物烧结体和其制造方法。为一种具有锌(Zn)和锡(Sn)作为成分的Sn-Zn-O系氧化物烧结体,还至少含有锗(Ge)、钽(Ta)和镓(Ga)作为成分,金属原子数比是Sn/(Zn+Sn)为0.1以上且0.3以下、Ge/(Zn+Sn+Ge+Ta+Ga)为0.0005以上且0.01以下、Ta/(Zn+Sn+Ge+Ta+Ga)为0.0005以上且0.01以下、Ga/(Zn+Sn+Ge+Ta+Ga)为0.001以上且0.1以下,电阻率为5Ω·cm以上且12000Ω·cm以下,相对密度为94%以上。

    焊料接合电极以及焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶

    公开(公告)号:CN110317969A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910242445.3

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 提供一种具备具有优异的焊料润湿性的铜合金覆膜的焊料接合电极,以及能够形成该铜合金覆膜的、焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶,所述焊料接合电极与使用了以银作为主要成分的合金靶的溅射成膜相比,能够减少覆膜形成成本,并且即使对于近年来尺寸、形状已经微细化的接合部而言也显示良好的焊料接合性。具有如下的铜合金覆膜:由铜、银、镍和钯的合金形成,以铜作为主要成分,以大于10质量%且小于50质量%的比例含有银、以大于0.05质量%且小于1.0质量%的比例含有镍、以大于0.1质量%且小于1.0质量%的比例含有钯。

    透明氧化物膜、透明氧化物膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板

    公开(公告)号:CN111836912A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201980018058.X

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 本发明提供一种通过量产性高的直流溅射而具有良好的透明性、水蒸气阻隔性能、以及优异的耐化学试剂性,并且柔性也优异的透明氧化物膜及其制造方法、用于形成膜的氧化物烧结体、以及使用透明氧化物膜的透明树脂基板。一种含有Zn和Sn的非晶质的透明氧化物膜,以金属原子数比计,Sn/(Zn+Sn)为0.44以上且0.90以下,膜厚为100nm以下。另外,一种透明氧化物膜的制造方法,使用由Sn‑Zn‑O系的氧化物烧结体构成的靶进行溅射而得到透明氧化物膜,溅射时所使用的所述氧化物烧结体中含有的Zn与Sn的金属原子数比的Sn/(Zn+Sn)为0.44以上且0.90以下,成膜的膜厚为100nm以下。

Patent Agency Ranking