公开(公告)号：CN107078031B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201580052175.X

申请日：2015-07-09

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 醍醐佳明 ,  清野拓哉 ,  大塚喜隆 ,  牧田裕之 ,  石桥奏太朗 ,  山中和人

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

公开(公告)号：CN107078031A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052175.X

申请日：2015-07-09

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 醍醐佳明 ,  清野拓哉 ,  大塚喜隆 ,  牧田裕之 ,  石桥奏太朗 ,  山中和人

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。