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公开(公告)号：CN104024467A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280063746.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/088 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/352
Abstract: 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
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公开(公告)号：CN107078031A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052175.X
申请日：2015-07-09
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。
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公开(公告)号：CN104024467B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280063746.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/088 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/352
Abstract: 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
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公开(公告)号：CN103329248B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180063194.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜的情况下，在利用加热器电极(104)使α-Al2O3基板维持为预定温度的状态下向靶材电极(102)施加高频电力并且向偏置电极(103)施加高频偏置电力。此时，高频电力和高频偏置电力的施加是以在该高频电力和该高频偏置电力之间不会发生频率干涉的方式进行的。
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公开(公告)号：CN101397650B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810149389.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/165
Abstract: 靶结构和靶保持装置。提供一种靶结构，该靶结构使得即使当增大输入电功率来增大膜沉积速率时，也能实现熔化状态下的镓或含镓材料的溅射。还提供一种包括该靶结构的溅射装置。该靶结构包括：保持部，其由金属材料形成；以及镓或含镓材料，其被置于保持部上，其中，在保持部的形成与镓或含镓材料的界面的表面上形成有薄膜，该薄膜与熔化状态下的镓或含镓材料成不大于30°的接触角。该溅射装置包括该靶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105190842B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480015032.7
申请日：2014-02-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 醍醐佳明
IPC: H01L21/203 , C23C14/06 , H01L21/205 , H01L33/32 , C23C16/34
CPC classification number: H01L33/44 , C23C14/0617 , C23C14/34 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/00 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明的目的是提供一种高生产性的成膜技术，其通过由于大约2μm的厚度而具有非常良好的结晶性的底层来实现。本发明的一个实施方案涉及一种成膜方法，其具有以下步骤：使用溅射法使缓冲层形成在由基板保持件保持的蓝宝石基板上，所述缓冲层设置有具有其中选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质添加至AlxGa1‑xN(其中0≤x≤1)的纤锌矿结构的外延膜。
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公开(公告)号：CN105190842A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015032.7
申请日：2014-02-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 醍醐佳明
IPC: H01L21/203 , C23C14/06 , H01L21/205 , H01L33/32 , C23C16/34
CPC classification number: H01L33/44 , C23C14/0617 , C23C14/34 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/00 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明的目的是提供一种高生产性的成膜技术，其通过由于大约2μm的厚度而具有非常良好的结晶性的底层来实现。本发明的一个实施方案涉及一种成膜方法，其具有以下步骤：使用溅射法使缓冲层形成在由基板保持件保持的蓝宝石基板上，所述缓冲层设置有具有其中选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质添加至AlxGa1-xN(其中0≤x≤1)的纤锌矿结构的外延膜。
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公开(公告)号：CN103918060A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053158.4
申请日：2012-10-23
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 醍醐佳明
CPC classification number: C30B25/10 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L33/007 , H01L33/18
Abstract: 本发明提供一种可以借助于溅射法制备+c极性的外延膜的膜形成方法，和适于该膜形成方法的真空处理设备，进一步提供使用该外延膜的半导体发光元件的生产方法以及通过该生产方法生产的半导体发光元件和照明装置。本发明的一个实施方案为一种膜形成方法，所述方法在使用加热器加热至所需温度的外延生长用基板上通过溅射法而外延生长具有纤锌矿结构的半导体膜，其中，所述膜形成方法包括以下步骤。首先，将所述基板配置在具有所述加热器的基板保持器上，以使所述基板距所述加热器规定距离。其次在配置所述基板距所述加热器规定距离的状态下，将具有纤锌矿结构的半导体膜的外延膜形成于所述基板上。
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公开(公告)号：CN104603913B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201380043537.X
申请日：2013-06-24
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 醍醐佳明
IPC: H01L21/203 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0025 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C23C14/35 , C30B23/02 , C30B23/08 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明的目的是提供外延膜形成方法，在该方法中通过溅射在α‑Al2O3基板上外延生长高品质第Ⅲ族氮化物半导体薄膜。根据该外延膜形成方法，当在配置在设置有溅射装置(1)的偏置电极(103)和加热器电极(104)的基板保持件(111)上的α‑Al2O3基板上形成第Ⅲ族氮化物半导体薄膜的外延膜时，在α‑Al2O3基板通过加热器电极(104)保持在预定温度的状态下，将高频电力施加至靶电极(102)以及高频偏置电力施加至偏置电极(103)，进行所述施加以使得在高频电力与高频偏置电力之间不发生频率干涉。
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公开(公告)号：CN103918060B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280053158.4
申请日：2012-10-23
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 醍醐佳明
CPC classification number: C30B25/10 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L33/007 , H01L33/18
Abstract: 本发明提供一种可以借助于溅射法制备+c极性的外延膜的膜形成方法，和适于该膜形成方法的真空处理设备，进一步提供使用该外延膜的半导体发光元件的生产方法以及通过该生产方法生产的半导体发光元件和照明装置。本发明的一个实施方案为一种膜形成方法，所述方法在使用加热器加热至所需温度的外延生长用基板上通过溅射法而外延生长具有纤锌矿结构的半导体膜，其中，所述膜形成方法包括以下步骤。首先，将所述基板配置在具有所述加热器的基板保持器上，以使所述基板距所述加热器规定距离。其次在配置所述基板距所述加热器规定距离的状态下，将具有纤锌矿结构的半导体膜的外延膜形成于所述基板上。
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