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公开(公告)号：CN1272176C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体和记录元件。在记录头用基体的热作用部(17)，使在布线(14)流动的电流产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN1117435A
公开(公告)日：1996-02-28
申请号：CN94115968.X
申请日：1994-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 一种发热电阻器，包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜，即使长期连续地对其施加较大的电功率，该发热电阻器也很难劣化，其电阻值几乎不变。一种液体喷头用的衬底，包括一支撑件和淀积在所述支撑件上的电热转换体。所述电热转换体包括能产生热能的发热电阻层和电连接到所述发热电阻层的多个电极。所述电极给所述发热电阻层提供产生所述热能所需的电信号。其特征是所述发热电阻层包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜。一种装有所述液体喷头用的衬底的液体喷头。一种装有所述液体喷头的液体喷射装置。
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公开(公告)号：CN102800683B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210159758.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括：多个焦点检测像素，每个焦点检测像素都包括光电转换元件，光电转换元件具有光接收表面；以及多个布线层，用以读取由光电转换元件提供的信号，光电转换设备还包括遮光膜，该遮光膜覆盖光电转换元件的一部分并且具有放置为比多个布线层的最下方布线层的下表面更接近以下平面的下表面：该平面包括光电转换元件的光接收表面并与光接收表面平行。
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公开(公告)号：CN101369594A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810166297.3
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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公开(公告)号：CN100438049C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410100705.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L31/0256 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800684B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210159759.5
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/357
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取器件及其制造方法、图像拾取系统。在包括包含光电转换部、载流子保持部和多个晶体管的像素的固态图像拾取器件中，该固态图像拾取器件进一步包括第一绝缘膜，被设置在所述光电转换部、所述载流子保持部以及所述多个晶体管之上；导体，被设置在所述第一绝缘膜的开口中并且定位为连接到所述多个晶体管中的一个或多个晶体管的源极或漏极，以及遮光膜，所述遮光膜被设置在所述第一绝缘膜的开口或凹部中，并且被定位在所述载流子保持部上方。
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公开(公告)号：CN101369594B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810166297.3
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2
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公开(公告)号：CN1627524A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100705.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L31/0256 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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公开(公告)号：CN1413835A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/14
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体、记录头和记录装置。在记录头用基体的热作用部(17)，通过布线(14)流动的电流使产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN102800684A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210159759.5
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/357
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取器件及其制造方法、图像拾取系统。在包括包含光电转换部、载流子保持部和多个晶体管的像素的固态图像拾取器件中，该固态图像拾取器件进一步包括第一绝缘膜，被设置在所述光电转换部、所述载流子保持部以及所述多个晶体管之上；导体，被设置在所述第一绝缘膜的开口中并且定位为连接到所述多个晶体管中的一个或多个晶体管的源极或漏极，以及遮光膜，所述遮光膜被设置在所述第一绝缘膜的开口或凹部中，并且被定位在所述载流子保持部上方。
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