公开(公告)号：CN1251872C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03153397.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今仲良行 ,  藤田桂 ,  小塚开 ,  下津佐峰生 ,  早川幸宏 ,  初井琢也 ,  望月无我 ,  竹内创太 ,  森井崇 ,  山口孝明 ,  久保康祐

IPC: B41J2/14 ,  H01L29/78

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2202/13

Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。

公开(公告)号：CN100499126C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610154211.6

申请日：2006-09-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森井崇

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/165

Abstract: 一种半导体器件，包括：存储器元件，该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息；端子，该端子用于输入用以向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用以从存储器元件中读出信息的第二电压；以及静电放电保护电路，该静电放电保护电路连接到端子。所述静电放电保护电路包括其阴极连接到第一端子且其阳极连接到地电位的二极管，以及其漏极和栅极连接到该端子且源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1933156A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610154211.6

申请日：2006-09-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森井崇

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/165

Abstract: 一种半导体器件，包括：存储器元件，该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息；端子，该端子用于输入用以向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用以从存储器元件中读出信息的第二电压；以及静电放电保护电路，该静电放电保护电路连接到端子。所述静电放电保护电路包括其阴极连接到第一端子且其阳极连接到地电位的二极管，以及其漏极和栅极连接到该端子且源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1490162A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03153397.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今仲良行 ,  藤田桂 ,  小塚开 ,  下津佐峰生 ,  早川幸宏 ,  初井琢也 ,  望月无我 ,  竹内创太 ,  森井崇 ,  山口孝明 ,  久保康祐

IPC: B41J2/14 ,  H01L29/78

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2202/13

Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。