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公开(公告)号：CN1272176C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体和记录元件。在记录头用基体的热作用部(17)，使在布线(14)流动的电流产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN101386228B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810149116.6
申请日：2008-09-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: H01L21/308 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2202/13 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种通孔形成方法、喷墨头和硅衬底。该方法包括如下步骤：在将于硅衬底(101)的第一表面中形成通孔的区域周围形成第一杂质区域(102a)，第一杂质区域(102)的杂质浓度高于硅衬底(101)；沿硅衬底(101)的深度方向在邻近第一杂质区域(102a)的位置形成第二杂质区域(102b)，第二杂质区域(102b)的杂质浓度高于第一杂质区域(102a)；在第一表面上形成蚀刻停止层(103)；在与第一表面相对的硅衬底(101)的第二表面上形成具有开口的蚀刻掩模层(104)；和蚀刻硅衬底(101)直到通过开口露出至少蚀刻停止层(103)。
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公开(公告)号：CN1415479A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02147153.3
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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公开(公告)号：CN1413835A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/14
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体、记录头和记录装置。在记录头用基体的热作用部(17)，通过布线(14)流动的电流使产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN100576967C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710101154.X
申请日：2004-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐佐木圭一 , 上市真人 , 艾尔沙德·A·超得亨利 , 早川幸宏
CPC classification number: H01C17/065 , H01C17/281 , H05K1/167 , H05K3/02 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的课题是提供发热元件上的保护层和耐气蚀膜的覆盖性良好且在耐久性方面良好的液体喷出装置用的电路基板及其制造方法。解决办法是，对布线材料层的表面部分进行表面处理，使其刻蚀速度比形成布线材料层的材料的刻蚀速度快。上述表面处理最好是将布线材料层的表面部分形成为形成布线材料层的材料的氟化物、氯化物、氮化物的至少一种的处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1326213C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410031500.8
申请日：2004-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐佐木圭一 , 上市真人 , 艾尔沙德·A·超得亨利 , 早川幸宏
CPC classification number: H01C17/065 , H01C17/281 , H05K1/167 , H05K3/02 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的课题是提供发热元件上的保护层和耐气蚀膜的覆盖性良好且在耐久性方面良好的液体喷出装置用的电路基板及其制造方法。解决办法是，对布线材料层的表面部分进行表面处理，使其刻蚀速度比形成布线材料层的材料的刻蚀速度快。上述表面处理最好是将布线材料层的表面部分形成为形成布线材料层的材料的氟化物、氯化物、氮化物的至少一种的处理。
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公开(公告)号：CN1251872C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03153397.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2202/13
Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。
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公开(公告)号：CN101125482B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710148790.8
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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公开(公告)号：CN100426942C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410056240.X
申请日：2004-08-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐佐木圭一 , 上市真人 , 查伍德·乌里·埃尔沙德·阿里 , 早川幸宏
CPC classification number: H05K1/167 , B41J2/14072 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/067 , H05K2201/0317 , H05K2203/0361
Abstract: 提供一种电路基板的制造方法。为了提供在布线的边缘部由保护层和耐空穴化膜获得的台阶覆盖性良好的电路基板及使用它的液体喷射头，本发明在基板的绝缘性表面上形成多个具有电阻层、以及在该电阻层上以规定的间隔形成的一对电极的元件，其特征在于具有下列工序：在上述电阻层上形成上述铝电极布线层的工序；通过对上述电极布线层进行干刻蚀，分离成每个元件的工序；以及用包含磷酸、硝酸、以及与布线金属形成络合物的螯合剂的刻蚀液，将电极布线部的剖面形状加工成锥形的工序。
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公开(公告)号：CN101125482A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710148790.8
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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