公开(公告)号：CN1044854A

公开(公告)日：1990-08-22

申请号：CN90101161.4

申请日：1990-01-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤田桂 ,  仲野浩 ,  一濑敏彦

IPC: G01D15/16 ,  B41J2/015

Abstract: 一种墨汁喷射记录装置，它具有一个记录头，记录头中用于产生发射能量的电热转换元件和半导体功能元件在一个半导体基片内构成一个整体。上述功能元件与电热转换元件电连接，功能元件的基报和集电报短路。由此限制了喷墨误差，使记录头能记录出高质量的图象。

公开(公告)号：CN1490162A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03153397.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今仲良行 ,  藤田桂 ,  小塚开 ,  下津佐峰生 ,  早川幸宏 ,  初井琢也 ,  望月无我 ,  竹内创太 ,  森井崇 ,  山口孝明 ,  久保康祐

IPC: B41J2/14 ,  H01L29/78

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2202/13

Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。

公开(公告)号：CN1251872C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03153397.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今仲良行 ,  藤田桂 ,  小塚开 ,  下津佐峰生 ,  早川幸宏 ,  初井琢也 ,  望月无我 ,  竹内创太 ,  森井崇 ,  山口孝明 ,  久保康祐

IPC: B41J2/14 ,  H01L29/78

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2202/13

Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。

公开(公告)号：CN1027466C

公开(公告)日：1995-01-18

申请号：CN90101161.4

申请日：1990-01-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤田桂 ,  仲野浩 ,  一濑敏彦

IPC: G01D15/16 ,  B41J2/015

Abstract: 一种墨汁喷射记录装置，它具有一个记录头，记录头中用于产生发射能量的电热转换元件和半导体功能元件在一个半导体基片内构成一个整体。上述功能元件与电热转换元件电连接，功能元件的基极和集电极短路。由此限制了喷墨误差，使记录头能记录出高质量的图象。

公开(公告)号：CN100511707C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN01145787.2

申请日：2001-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  藤田桂 ,  早川幸宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L35/00 ,  H01L21/00 ,  B41J2/01 ,  B41J2/05 ,  B41J2/07

CPC classification number: H01L29/7816 ,  B41J2/14072 ,  B41J2202/13 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。

公开(公告)号：CN101452883A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810175002.9

申请日：2001-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  藤田桂 ,  早川幸宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  B41J2/14

Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。

公开(公告)号：CN1825611A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510125188.3

申请日：2001-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  藤田桂 ,  早川幸宏

IPC: H01L27/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  B41J2/14

Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。

公开(公告)号：CN1371134A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01145787.2

申请日：2001-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  藤田桂 ,  早川幸宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L35/00 ,  H01L21/00 ,  B41J2/01 ,  B41J2/05 ,  B41J2/07

CPC classification number: H01L29/7816 ,  B41J2/14072 ,  B41J2202/13 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件,包括,集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件,转换器件是绝缘栅型FET,每个晶体管包括:在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区;与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区;在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区;在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区;和在沟道区上形成的多个栅电极,之间设有栅绝缘膜;第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区;并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。