公开(公告)号：CN1639063A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804814.0

申请日：2003-02-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  石原俊一 ,  中川克己 ,  佐藤宏 ,  吉野豪人 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: C01B33/02 ,  H01L31/04

Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。

公开(公告)号：CN1175472C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法，其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时，还旋转支撑件，从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法，该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤，其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。

公开(公告)号：CN1244724A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99111393.4

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克己 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时,硅材料溶入高温的熔融液中,然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后,其温度逐渐降低,由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个外延中,主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程,该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。

公开(公告)号：CN1305763C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03804814.0

申请日：2003-02-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  石原俊一 ,  中川克己 ,  佐藤宏 ,  吉野豪人 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: C01B33/02 ,  H01L31/04

Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。

公开(公告)号：CN1151543C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN99111393.4

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克己 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时，硅材料溶入高温的熔融液中，然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后，其温度逐渐降低，由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个处延中，主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程，该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。

公开(公告)号：CN1495915A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310114912.3

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克已 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换元件，包括从光入射侧提供的抗反射层、硅层和电极，其中硅层都是外延硅层，并且其中硅层包括从光入射侧提供的n+层和p－层。

公开(公告)号：CN1240302A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法,其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时,还旋转支撑件,从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法,该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤,其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。