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公开(公告)号：CN86108452A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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公开(公告)号：CN86107141A
公开(公告)日：1987-06-10
申请号：CN86107141
申请日：1986-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/452 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子；至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。
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公开(公告)号：CN1639063A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804814.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。
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公开(公告)号：CN1201408C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02121537.5
申请日：2002-03-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 石原俊一
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 为了同时保证优异的短路电流和占空因数性能，提供一种薄膜多晶太阳能电池，该电池包括基材；设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层；设置在第一半导体层上并且由用与第一半导体层同样导电类型的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层；和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一半导体层和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层，其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层，该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒，且垂直生长与第三半导体层形成接触面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1015008B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN86107141
申请日：1986-10-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/452 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子，至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。
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公开(公告)号：CN1047349A
公开(公告)日：1990-11-28
申请号：CN90102669.7
申请日：1990-03-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/463 , C30B25/10 , C30B25/105 , C30B29/06
Abstract: 一种形成晶体薄膜的方法，它包括将为形成晶体薄膜的气态原料和能与原料起化学反应的气态卤氧化剂各自引入到装有基片的薄膜形成空间以形成薄膜，基片由按预定温度分布的非单晶材料的表面组成。
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公开(公告)号：CN1006670B
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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公开(公告)号：CN1384551A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121537.5
申请日：2002-03-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 石原俊一
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 为了同时保证优异的短路电流和占空因数性能,提供一种薄膜多晶太阳能电池,该电池包括基材;设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层;设置在第一半导体层上并且由用与第一半导体层同样导电类型的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层;和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一半导体层和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层,其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层,该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒,且垂直生长与第三半导体层形成接触面。
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