公开(公告)号：CN102938420B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210322249.5

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

公开(公告)号：CN102256536B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200980151439.1

申请日：2009-12-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 时田俊伸 ,  福谷和彦 ,  中嶌隆夫 ,  中川克己

IPC: A61B5/00 ,  A61B8/08

CPC classification number: A61B8/0825 ,  A61B5/0091 ,  A61B5/0095 ,  A61B5/4312

Abstract: 当被检体被板(1)按压并且声波通过板被探头接收时，由于被检体中的声速与板中的声速之间的差值，该声波被折射。当不考虑折射时，出现分辨率的降低。提供用于校正与折射相关联的图像畸变的校正表格(92)或校正公式。在获取图像信息之后，根据校正表格或校正公式获取新的图像信息，并显示新的图像信息。

公开(公告)号：CN1156027C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN97129782.7

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体衬底的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体衬底，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1505174A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310114344.7

申请日：2000-07-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  高井康好 ,  坂口清文 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1048 ,  Y10T156/1049

Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。

公开(公告)号：CN1290959A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00132918.9

申请日：2000-09-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  西田彰志

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B19/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628

Abstract: 半导体衬底制造方法,包括在适当控制以便消除缺陷的温度在衬底上液相生长第一半导体层的工序,和在更高温度在第一半导体层上液相生长第二半导体层的工序。太阳电池的制造方法包括对液相生长法制造的半导体衬底的第一和第二层的表面进行阳极氧化的工序。液相生长设备包括熔料存储装置,存储熔料温度改变装置,使含氧衬底与熔料接触的装置,熔料温度可抑制衬底表面上生长的半导体层中所含的堆垛层错。

公开(公告)号：CN1218844A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98125805.0

申请日：1998-10-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒尾浩三 ,  中川克己 ,  岩崎由希子

IPC: C23C16/00 ,  C23C18/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 在导电衬底上形成氧化铟膜的成膜方法,把所述衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中,在所述衬底和相反电极之间通电流,由此在所述衬底上形成所述氧化铟膜。利用无电淀积工艺形成氧化铟膜的水溶液,至少包含硝酸盐离子,铟离子和酒石酸盐。利用所述的水溶液,通过无电淀积工艺,在衬底上形成氧化铟膜的成膜方法。利用所述成膜方法,制成半导体元件和光生伏打元件的衬底。

公开(公告)号：CN1042805A

公开(公告)日：1990-06-06

申请号：CN89108315.4

申请日：1989-11-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进了的叠层型光生伏打器件，在其折射率为na的半导体层a和折射率为nb的半导体层b之间的界面中插入抗反射半导体层c；所述层c由成分比不同于层b的半导体膜构成；层c可由成分为另一种元素与层b的构成元素加在一起的半导体膜构成；层c的折射率厚度d＝λ/4n，其中λ表示装在光传输方向上的光生伏打元件的光谱灵敏度的峰值波长。上述任何一种器件都具有所需的稳定的光电特性和高的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103099644B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310028573.0

申请日：2009-06-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 染田恭宏 ,  齐藤惠志 ,  浅尾恭史 ,  中川克己 ,  市原滋

IPC: A61B8/14 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B8/4416 ,  A61B5/0035 ,  A61B5/0095 ,  A61B8/0825 ,  A61B8/14 ,  A61B8/145 ,  A61B8/4444 ,  A61B8/4494 ,  A61B8/483 ,  A61B8/5238

Abstract: 提供了一种超声探测器和包含超声探测器的检查对象成像装置，所述超声探测器即使在超声波检查法中使用的超声波的频带和光声波的频带相互分开时，也能够形成图像而没有劣化。超声探测器包含能够发送和接收超声波的第一阵列器件；以及能够接收光声波的第二阵列器件。第一阵列器件包含沿与扫描方向垂直的方向布置的多个机电变换器，第二阵列器件包含以二维方式布置的多个机电变换器，并且，第一阵列器件和第二阵列器件在同一平面上且沿扫描方向被设置。

公开(公告)号：CN102596046B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080051347.9

申请日：2010-11-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己

IPC: A61B8/00 ,  A61B5/00 ,  G01S15/89

CPC classification number: A61B5/0095 ,  A61B5/0073 ,  A61B5/7257 ,  A61B8/00 ,  A61B8/08 ,  G01S15/8977 ,  G01S15/8993

Abstract: 一种图像形成设备具有：声换能器；以及图像处理单元，其通过利用傅里叶域方法处理从声换能器输出的所接收的信号来计算从对象内的区域分别发射的声波的强度。该图像处理单元包括：系数存储器，所述系数存储器存储预先计算的系数，所述系数为仅仅由声换能器的位置、区域的位置和接收声波的时间确定的值；乘法器单元，所述乘法器单元将声换能器的所接收的信号乘以对应的系数；以及体元存储器，所述体元存储器累积对于每个区域的乘法器单元的乘法结果。

公开(公告)号：CN102065748B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200980122052.3

申请日：2009-06-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 染田恭宏 ,  齐藤惠志 ,  浅尾恭史 ,  中川克己 ,  市原滋

IPC: A61B5/00 ,  A61B8/14

CPC classification number: A61B8/4416 ,  A61B5/0035 ,  A61B5/0095 ,  A61B8/0825 ,  A61B8/14 ,  A61B8/145 ,  A61B8/4444 ,  A61B8/4494 ,  A61B8/483 ,  A61B8/5238

Abstract: 提供了一种超声探测器和包含超声探测器的检查对象成像装置，所述超声探测器即使在超声波检查法中使用的超声波的频带和光声波的频带相互分开时，也能够形成图像而没有劣化。超声探测器包含能够发送和接收超声波的第一阵列器件；以及能够接收光声波的第二阵列器件。第一阵列器件包含沿与扫描方向垂直的方向布置的多个机电变换器，第二阵列器件包含以二维方式布置的多个机电变换器，并且，第一阵列器件和第二阵列器件在同一平面上且沿扫描方向被设置。