公开(公告)号：CN109585472A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811113385.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广田克范 ,  佐佐木圭一 ,  丹下勉 ,  田中芳荣 ,  大谷章

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本申请涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，被布置为覆盖光电转换部分的至少一部分。氮化硅层包含氯。氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

公开(公告)号：CN110896083B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910845927.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田中芳荣 ,  广田克范 ,  大贯裕介 ,  丹下勉 ,  荻野拓海

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd

公开(公告)号：CN110265413B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910181160.3

申请日：2019-03-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 铃木崇大 ,  田中芳荣 ,  丹下勉 ,  广田克范

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。

公开(公告)号：CN110896083A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910845927.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田中芳荣 ,  广田克范 ,  大贯裕介 ,  丹下勉 ,  荻野拓海

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd

公开(公告)号：CN109585472B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201811113385.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广田克范 ,  佐佐木圭一 ,  丹下勉 ,  田中芳荣 ,  大谷章

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70

Abstract: 本申请涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，被布置为覆盖光电转换部分的至少一部分。氮化硅层包含氯。氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

公开(公告)号：CN110265413A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910181160.3

申请日：2019-03-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 铃木崇大 ,  田中芳荣 ,  丹下勉 ,  广田克范

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。