公开(公告)号：CN112928152B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202011400660.0

申请日：2020-12-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荻野拓海 ,  广田克范 ,  小林广明

IPC: H01L29/04 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置和设备。半导体装置包括第一半导体层、与第一半导体层重叠的第二半导体层以及布置在它们之间的布线结构。第二半导体层设置有p型MIS晶体管。第一半导体层的晶体结构在沿着第一半导体层的主表面的方向上具有第一晶体取向和第二晶体取向。第一半导体层在沿着第一晶体取向的方向上的杨氏模量高于在沿着第二晶体取向的方向上的杨氏模量。由第一晶体取向与p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度，并且由第二晶体取向与该方向形成的角度为0度以上且30度以下。

公开(公告)号：CN110896083B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910845927.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田中芳荣 ,  广田克范 ,  大贯裕介 ,  丹下勉 ,  荻野拓海

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd

公开(公告)号：CN112928152A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011400660.0

申请日：2020-12-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荻野拓海 ,  广田克范 ,  小林广明

IPC: H01L29/04 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置和设备。半导体装置包括第一半导体层、与第一半导体层重叠的第二半导体层以及布置在它们之间的布线结构。第二半导体层设置有p型MIS晶体管。第一半导体层的晶体结构在沿着第一半导体层的主表面的方向上具有第一晶体取向和第二晶体取向。第一半导体层在沿着第一晶体取向的方向上的杨氏模量高于在沿着第二晶体取向的方向上的杨氏模量。由第一晶体取向与p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度，并且由第二晶体取向与该方向形成的角度为0度以上且30度以下。

公开(公告)号：CN115602650A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210780298.7

申请日：2022-07-04

Applicant: 佳能株式会社(JP)

Inventor： 原拓也 ,  荻野拓海

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了半导体设备、装备以及半导体设备的制造方法。一种半导体设备包括包含第一半导体基板和第一布线结构的第一半导体组件、以及包含第二半导体基板和第二布线结构的第二半导体组件。第一半导体组件的第一表面和第二半导体组件的第二表面接合在一起。假定具有分别与通过将第一表面、第二表面、第一布线结构和第二布线结构垂直地投影在虚拟平面上而获得的形状对应的外周的区域分别是第一区域至第四区域，第一区域的面积小于第二区域的面积，第一区域的整个外周被包括在第二区域中，第四区域的面积小于第三区域的面积，并且第四区域的整个外周被包括在第三区域中。

公开(公告)号：CN110896083A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910845927.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田中芳荣 ,  广田克范 ,  大贯裕介 ,  丹下勉 ,  荻野拓海

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd

公开(公告)号：CN109860031A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811448155.6

申请日：2018-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石野英明 ,  荻野拓海

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置和设备。半导体层包含开口，并且，在结构之间的接合表面中，在半导体层被层叠在一起的方向上的半导体层与开口之间的部分包含多个导体部分、和在与所述方向正交的方向上位于该多个导体部分之间的绝缘体部分。

公开(公告)号：CN105321970A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510320636.9

申请日：2015-06-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大贯裕介 ,  板桥政次 ,  杮沼伸明 ,  下津佐峰生 ,  藤田雅人 ,  荻野拓海 ,  鸟居庆大

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/78 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14687

Abstract: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。