公开(公告)号：CN1021862C

公开(公告)日：1993-08-18

申请号：CN91103573.7

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石敬治 ,  片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  高桥秀和 ,  大图逸男

IPC: H01L21/76 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。