公开(公告)号：CN104137229A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380009159.3

申请日：2013-01-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 市六信広

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J179/08

CPC classification number: C08L33/06 ,  C08L79/08 ,  C08L2207/068 ,  C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C08K7/14 ,  C08L71/12 ,  C08L77/06

Abstract: 本发明是一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜含有下述(A)～(E)成分：(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；(B)环氧树脂：5～200质量份；(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；(D)环氧树脂固化催化剂：催化剂量；及(E)纤维状无机填充材料：25～5000质量份。由此，提供一种切断特性优异的半导体晶片用保护薄膜及生产率较高的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN103201860A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180052888.8

申请日：2011-10-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 塩野嘉幸 ,  市六信広 ,  岩田充弘 ,  小材利之

IPC: H01L33/48 ,  C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  H01L21/52 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/0095 ,  C09J7/38 ,  C09J183/04 ,  C09J2203/326 ,  C09J2467/006 ,  C09J2483/00 ,  H01S5/0226

Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，其特征在于，其被成形为薄膜状且被配置于前述基材薄片上，并且能自前述基材薄片上剥离。由此，能提供一种光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，其能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到将以LED、LD为首的光半导体元件，固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能提高制造光半导体装置的生产性。

公开(公告)号：CN102191005A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110065060.8

申请日：2011-03-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 市六信広

IPC: C09J163/02 ,  C09J183/04 ,  C09J11/04 ,  C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G77/18 ,  C08G2650/56 ,  C08K5/541 ,  C08L71/00 ,  C08L83/04 ,  C08L2205/03 ,  C09J7/35 ,  C09J163/00 ,  C09J2205/102 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31612 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的粘合剂组合物含有：(A)苯氧树脂100质量份；(B)环氧树脂5～200质量份；(C)烷氧基硅烷部分水解缩合物1～20质量份，包含下述通式(1)、(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷的部分水解缩合物，重均分子量为300以上且30000以下，残留烷氧基量为2wt％以上且50wt％以下；(D)环氧树脂固化催化剂；(E)无机填充剂；及(F)沸点为80℃～180℃，25℃下的表面张力为20～30dyne/cm的极性溶剂。本发明可以提供一种能够形成平坦性、切断特性和粘合性优异的保护膜的半导体晶片保护膜形成用片材及粘合剂组合物。Si(OR3)4(1)；R1Si(OR3)3(2)。

公开(公告)号：CN104137229B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201380009159.3

申请日：2013-01-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 市六信広

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J179/08

CPC classification number: C08L33/06 ,  C08L79/08 ,  C08L2207/068 ,  C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C08K7/14 ,  C08L71/12 ,  C08L77/06

Abstract: 本发明是一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜含有下述(A)～(E)成分：(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；(B)环氧树脂：5～200质量份；(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；(D)环氧树脂固化催化剂：催化剂量；及(E)纤维状无机填充材料：25～5000质量份。由此，提供一种切断特性优异的半导体晶片用保护薄膜及生产率较高的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN102191005B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110065060.8

申请日：2011-03-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 市六信広

IPC: C09J163/02 ,  C09J183/04 ,  C09J11/04 ,  C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G77/18 ,  C08G2650/56 ,  C08K5/541 ,  C08L71/00 ,  C08L83/04 ,  C08L2205/03 ,  C09J7/35 ,  C09J163/00 ,  C09J2205/102 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31612 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的粘合剂组合物含有：(A)苯氧树脂100质量份；(B)环氧树脂5～200质量份；(C)烷氧基硅烷部分水解缩合物1～20质量份，包含下述通式(1)、(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷的部分水解缩合物，重均分子量为300以上且30000以下，残留烷氧基量为2wt％以上且50wt％以下；(D)环氧树脂固化催化剂；(E)无机填充剂；及(F)沸点为80℃～180℃，25℃下的表面张力为20～30dyne/cm的极性溶剂。本发明可以提供一种能够形成平坦性、切断特性和粘合性优异的保护膜的半导体晶片保护膜形成用片材及粘合剂组合物。Si(OR3)4(1)；R1Si(OR3)3(2)。

公开(公告)号：CN102382584A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110189312.8

申请日：2011-07-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 市六信広 ,  盐野嘉幸

IPC: C09J7/02 ,  C09J171/12 ,  C09J179/08 ,  C09J133/08 ,  C09J163/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，用于在半导体晶片上形成保护膜，所述半导体晶片保护膜形成用薄片的特征在于，具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层，并且，该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔形成有多个，各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm，且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。通过本发明，可提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，其可在不污染晶片上的电路表面的情形下进行光学定向。