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公开(公告)号：CN1723563A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅活性层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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公开(公告)号：CN103459336A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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公开(公告)号：CN101479411A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024275.7
申请日：2007-05-28
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B29/06 , C30B35/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅的制造系统，是为了使通过采用切克劳斯基法(CZ法)的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内，设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的值，控制在规定范围内的制造条件的制造系统，至少具备以下自动化的手段：手段1，根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果，暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件；手段2，根据起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的F及/或G的变化量，来算出修正量；手段3，根据起因于下一批的制造步骤而造成的F及/或G的变化量，来算出修正量；以及手段4，将依据手段2及/或上述手段3所算出的修正量，加入由手段1所设计的制造条件中，来算出下一批的制造条件。借此，可以提供一种单晶硅的制造系统及使用此制造系统之单晶硅的制造方法，能够更确实地得到具有所希望的结晶品质的单晶硅，并提高生产性和良率等。
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公开(公告)号：CN100452407C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅有源层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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公开(公告)号：CN103459336B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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