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公开(公告)号：CN103201226B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180053097.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B19/14 , C03B23/20 , C03B2201/23 , C30B15/02 , C30B15/08 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN103201226A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053097.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B19/14 , C03B23/20 , C03B2201/23 , C30B15/02 , C30B15/08 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN1723563A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅活性层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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公开(公告)号：CN100452407C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅有源层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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