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公开(公告)号：CN118406074A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410884919.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F5/06
Abstract: 本发明公开了一种三甲基铝粗品的提纯方法，包括S1：将粗品溶于溶剂A中；S2：将溶剂B缓慢加入步骤S1得到的混合液中；S3：将步骤S2得到的混合液继续降温得到固体；S4：将步骤S3得到的固体溶于溶剂A中；S5：将溶剂B缓慢加入步骤S4得到的混合液中；S6：将步骤S5得到的混合液继续降温过滤除去滤液得到固体；S7：将步骤S6中得到的固体，加入气相白炭黑，过滤，降温使其凝固为固体；S8：步骤S7得到的固体放入加热容器中，除去溶剂和低沸点杂质，得到液体；S9：将步骤S8得到的液体降温，除去底层液体，得到固体A，即三甲基铝纯品A；重复步骤S8和S9两次，并优化部分工艺条件。本发明制备的产品纯度大于99.9999%，制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN119119107A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411273848.1
申请日：2024-09-12
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F7/10 , C07F17/00 , C07C209/82 , C07C211/65
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体级金属前驱体和硅基前驱体的纯化方法及装置，包括送料管以及起连通的导料管与增压管；增压管一端设有恒压组件，且恒压管与精馏塔连通，增压管底端设有自锁阀，且自锁阀与送料组件连通；本发明中，通过增压管一段固定连接的外接管所连接的增压设备将送料管以及增压管中的压力进行增压与精馏塔内的压力呈一致状态，当精馏塔与恒压管中压力等同时，位于送料管一端设置的控制阀被动开启，实现驱动组件将送料管中的原料在同等压力下送入精馏塔中，避免物料在缺压的状态下导致精馏塔内的压力失衡，降低精馏塔纯化的效率。
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公开(公告)号：CN117624214A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410094628.6
申请日：2024-01-24
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅基前驱体材料的合成技术领域，尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。本发明提供了一种四甲基硅烷的制备方法，包括以下步骤：将金属锂和有机溶剂混合，得到锂混合液；在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后，进行第一搅拌，通入氯甲烷，进行第二搅拌后，依次进行蒸馏和精馏，得到所述四甲基硅烷。本发明所述制备方法的反应原理是（CH3)3SiCl+CH3Cl+2Li→(CH3)4Si+2LiCl，所述制备方法操作简单、原料易得、无副产物且得到的产品纯度较高。
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公开(公告)号：CN118406074B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410884919.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F5/06
Abstract: 本发明公开了一种三甲基铝粗品的提纯方法，包括S1：将粗品溶于溶剂A中；S2：将溶剂B缓慢加入步骤S1得到的混合液中；S3：将步骤S2得到的混合液继续降温得到固体；S4：将步骤S3得到的固体溶于溶剂A中；S5：将溶剂B缓慢加入步骤S4得到的混合液中；S6：将步骤S5得到的混合液继续降温过滤除去滤液得到固体；S7：将步骤S6中得到的固体，加入气相白炭黑，过滤，降温使其凝固为固体；S8：步骤S7得到的固体放入加热容器中，除去溶剂和低沸点杂质，得到液体；S9：将步骤S8得到的液体降温，除去底层液体，得到固体A，即三甲基铝纯品A；重复步骤S8和S9两次，并优化部分工艺条件。本发明制备的产品纯度大于99.9999%，制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN117624214B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410094628.6
申请日：2024-01-24
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅基前驱体材料的合成技术领域，尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。本发明提供了一种四甲基硅烷的制备方法，包括以下步骤：将金属锂和有机溶剂混合，得到锂混合液；在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后，进行第一搅拌，通入氯甲烷，进行第二搅拌后，依次进行蒸馏和精馏，得到所述四甲基硅烷。本发明所述制备方法的反应原理是（CH3)3SiCl+CH3Cl+2Li→(CH3)4Si+2LiCl，所述制备方法操作简单、原料易得、无副产物且得到的产品纯度较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220531576U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202321403919.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种三乙基锑工业合成工艺装置，包括碘乙烷高位罐、三氯化锑溶液高位罐、合成釜、溶剂收集罐、冷冻接收罐、三乙基锑粗品接收罐、冷热一体机、冷凝器、移动吨桶、溶剂罐插底管、粗品转移管、液氮杜瓦罐、液体加料管、固体加料罐、回流出料管、回流进料管、进料管A、进料管B、进料管C、连接管、转料管等。本实用新型通过冷热一体机与温度传感器联锁控制合成釜的温度、加料调节阀与压力传感器联锁控制加料速度的方式，保证合成釜内反应安全平稳进行，提高合成效果，通过深冷的方式将反应溶剂收集，可以有效地将三乙基锑和溶剂分离，提高合成三乙基锑粗品的纯度，实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN220514189U
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202321847254.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管、合成反应柱、合成接收罐、挡板、冷热一体机、出气口和升华出料口。本实用新型通过设置冷热一体机，降低合成接收罐的温度，保证二茂镁飘落到合成接收罐后聚集结块，最终紧密堆积在合成接收罐中，从而增加合成接收罐每批的接收量，并通过在合成接收罐中设置挡板，所述挡板位于出气口和合成反应柱在合成接收罐上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口，从而防止合成接收罐的出气口堵塞。解决了现有技术中传统二茂镁合成收集装置产率低、出气口易堵塞等问题，适用于工业化生产，满足日益增长的市场需求。
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公开(公告)号：CN118376718A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410797547.2
申请日：2024-06-20
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四甲基硅烷除氯用取样装置及工艺，涉及硅基前驱体提纯工艺技术领域，包括：壳体，壳体的上部设置有出液管，壳体的一侧连接有导气管，导气管用于输送惰性气体；轨道架，其设置于壳体内，轨道架上设置有升降板，升降板上转动连接有旋盖爪；驱动组件，其用于驱动旋盖爪旋转并向上位移，以使得化工桶的桶盖脱落；本发明通过驱动组件带动旋盖爪的上移，自动对桶盖进行旋拧拆卸，在旋盖爪上移后，引流管移动并插入化工桶内，在注入惰性气体，利用惰性气体压出四甲基硅烷，这样在取样时以及取样后，可以在化工桶内形成由惰性气体所组成的保护气氛，增加四甲基硅烷的储存稳定性、安全性。
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公开(公告)号：CN117208913B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311129648.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J31/10
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公开(公告)号：CN117510533A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311851870.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，包括以下步骤：原料称取（以重量为单位）包括以下成分：二氯甲烷500份、金属钠24.2~27.6份、二异丙胺116.9~151.8份、一氯硅烷66.6份；在反应釜内通入惰性气体，并加入二氯甲烷、金属钠，降温至‑20~0℃，搅拌5~30分钟；滴加二异丙胺，自然升温至10~30℃搅拌1小时；降温至‑60~‑40℃，并通过MFC控制通入一氯硅烷搅拌12小时。本发明提供的二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，通过二氯甲烷、金属钠代替乙醚进行二异丙胺硅烷的制备，能避免在制备过程中因为乙醚氧化后易爆，且整体制备过程简单、原料易得，整体制备后二异丙胺硅烷反应转换率较高。
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