公开(公告)号：CN116848205A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013808.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金正训 ,  黄晙夏 ,  权五星

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，其包括：纳米氧化铈抛光粒子；以及分子中含有亲水基团的水溶性化合物。可选地，所述抛光浆料组合物还包括含有分子内胺基及羧基的两性化合物、含有有机酸的表面改性剂及pH调节剂中的至少一个以上。

公开(公告)号：CN113195658A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084398.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  朴光洙 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于STI工艺的抛光料浆组合物，并且更具体地涉及用于STI工艺的抛光料浆组合物，所述抛光料浆组合物包括：具有抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括具有酰胺键的聚合物，以及包括具有与一个以上的原子连接的三个以上链的单体的多晶硅膜抛光抑制剂。

公开(公告)号：CN114958207B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210166968.6

申请日：2022-02-23

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金永俊 ,  姜旼澈 ,  姜贤求 ,  黄晙夏 ,  崔洛炫 ,  朴光洙

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于对氧化硅膜进行抛光的CMP浆料组合物，该CMP浆料组合物通过包括磨粒(A)、分散剂(B)、辅助分散剂(C)、非离子添加剂(D)、pH调节剂(E)和残留的超纯水(F)，可以减少在氧化硅膜的抛光或平坦化工艺期间产生的碟形缺陷和划痕的量，其中，所述分散剂(B)包括含有芳环和一个或更多个羧基基团(‑COOH)的有机酸化合物，并且所述pH调节剂(E)包括含有一个或更多个羟基基团(‑OH)和一个羧基基团(‑COOH)的有机化合物。

公开(公告)号：CN115612407A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210809900.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 李正揆 ,  张孝俊 ,  黄晙夏

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种新型铈基粒子及包括其的抛光浆料组合物，更具体地，涉及一种铈基粒子及包括其的抛光浆料组合物，其中所述铈基粒子包括：微粒子的自组装体；以及有机物。

公开(公告)号：CN109689828B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201780054508.1

申请日：2017-06-21

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  朴光洙 ,  金廷润 ,  黄晙夏

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例的表面改性胶体二氧化铈抛光粒子，包括：胶体二氧化铈抛光粒子；及铈元素及羟基(‑OH)，形成在所述胶体二氧化铈抛光粒子表面上。

公开(公告)号：CN107033787B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201611109095.6

申请日：2016-12-06

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 权璋国 ,  李性表 ,  权昌吉 ,  黄晙夏

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及抛光粒子‑分散层复合体及包括此的抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例的抛光粒子‑分散层复合体包括：抛光粒子；第一分散剂，从具有共振结构官能团的共聚物、含有二羧基的聚合物及含有二羧基的有机酸形成的群中选择的至少任何一个的阴离子性化合物；第二分散剂，从氨基酸、有机酸、聚亚烷基二醇及葡萄糖胺化合物结合的高分子多糖体形成的群中选择的至少任何一个的阳离子性化合物；及第三分散剂，在分子式内包括两个以上的被离子化的阳离子的阳离子性聚合物。

公开(公告)号：CN107033787A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611109095.6

申请日：2016-12-06

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 权璋国 ,  李性表 ,  权昌吉 ,  黄晙夏

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及抛光粒子‑分散层复合体及包括此的抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例的抛光粒子‑分散层复合体包括：抛光粒子；第一分散剂，从具有共振结构官能团的共聚物、含有二羧基的聚合物及含有二羧基的有机酸形成的群中选择的至少任何一个的阴离子性化合物；第二分散剂，从氨基酸、有机酸、聚亚烷基二醇及葡萄糖胺化合物结合的高分子多糖体形成的群中选择的至少任何一个的阳离子性化合物；及第三分散剂，在分子式内包括两个以上的被离子化的阳离子的阳离子性聚合物。

公开(公告)号：CN114958207A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210166968.6

申请日：2022-02-23

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金永俊 ,  姜旼澈 ,  姜贤求 ,  黄晙夏 ,  崔洛炫 ,  朴光洙

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于对氧化硅膜进行抛光的CMP浆料组合物，该CMP浆料组合物通过包括磨粒(A)、分散剂(B)、辅助分散剂(C)、非离子添加剂(D)、pH调节剂(E)和残留的超纯水(F)，可以减少在氧化硅膜的抛光或平坦化工艺期间产生的碟形缺陷和划痕的量，其中，所述分散剂(B)包括含有芳环和一个或更多个羧基基团(‑COOH)的有机酸化合物，并且所述pH调节剂(E)包括含有一个或更多个羟基基团(‑OH)和一个羧基基团(‑COOH)的有机化合物。

公开(公告)号：CN109153888A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030270.9

申请日：2017-04-14

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  金仙卿 ,  朴光洙

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种高阶梯差抛光料浆组合物，根据本发明一个实施例的高阶梯差抛光料浆组合物包括：抛光液，含有经正电荷分散的金属氧化物抛光粒子；和添加液，含有高分子聚合物，具有经正电荷被活性化的一个以上元素，且具有凸出部和凹陷部的氧化膜图案晶片中的阶梯差去除速度和氧化膜平板晶片中的去除速度的抛光选择比为5:1以上。

公开(公告)号：CN106978086A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611198746.3

申请日：2016-12-22

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 权璋国 ,  李性表 ,  权昌吉 ,  黄晙夏

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及添加剂组合物及包括此的阳性抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例，添加剂组合物包括阳离子性化合物；有机酸；非离子性化合物；及pH调节剂，且可显示阳(positive)电荷的阳性料浆组合物和使用时，维持分散稳定性和高抛光率，并具有优秀的抛光选择比和高的平坦度及低的凹陷。