公开(公告)号：CN118159575A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072039.7

申请日：2022-12-19

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 廉振锡 ,  金锡祚

IPC: C08F220/18 ,  C08F2/44 ,  C08K9/06 ,  C08K3/013 ,  C09J7/10 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机复合组合物及包括其的胶粘薄膜，根据本发明一实施例的组合物包括经表面处理剂表面改性的无机粒子；以及丙烯酸类单体，其中所述表面改性的无机粒子以及所述丙烯酸类单体的重量比可以为1:1至2:1。

公开(公告)号：CN114867802B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202080088088.0

申请日：2020-10-30

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔辅爀 ,  李载鹤 ,  李在祐 ,  金智慧 ,  李在益

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光有机膜的浆料组合物，根据本发明一实施例的用于抛光有机膜的浆料组合物包括：研磨粒子；包括有机酸、无机酸或两者的抛光调节剂；包括酰胺类化合物或酰胺类聚合物的有机膜抛光增强剂；氧化剂；以及pH调节剂。

公开(公告)号：CN116848205A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013808.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金正训 ,  黄晙夏 ,  权五星

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，其包括：纳米氧化铈抛光粒子；以及分子中含有亲水基团的水溶性化合物。可选地，所述抛光浆料组合物还包括含有分子内胺基及羧基的两性化合物、含有有机酸的表面改性剂及pH调节剂中的至少一个以上。

公开(公告)号：CN111152126B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201811474024.5

申请日：2018-12-04

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 申盛皓 ,  金泰贤

IPC: B24B37/005

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：调节单元，其包括与研磨垫接触的调节盘，用于执行研磨垫的调节工序；姿势感测部，其用于感测调节单元的姿势。

公开(公告)号：CN111168562B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201811531783.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 孙准晧 ,  申盛皓

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明涉及化学机械式研磨装置用承载头及其隔膜，提供一种随着研磨工序的进行，在发生研磨垫或卡环等耗材的磨损，并随着耗材的磨损量而发生隔膜的上下移动移位时，借助于第二固定瓣，提供补偿力而使之抵消，从而提高研磨品质的研磨装置用承载头的隔膜及其承载头。

公开(公告)号：CN113242891B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN115710438A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211005154.0

申请日：2022-08-22

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 李慧映 ,  郑佑永 ,  金相现

IPC: C09D4/02 ,  C09D7/61 ,  G02B1/04 ,  G02B5/02

Abstract: 本发明涉及金属氧化物分散液、显示器用薄膜组合物及显示器用光学元件，根据本发明一实施例的金属氧化物分散液包括氧化锆纳米粒子；单体；以及表面改性剂，所述氧化锆纳米粒子的四方晶系半峰全宽(FWHM)是0.9以上，单斜晶系半峰全宽是0.7以上。

公开(公告)号：CN110666676B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201910279708.8

申请日：2019-04-09

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朱宗泰 ,  金橡贤 ,  郑皓天 ,  金在烈

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明涉及一种基板研磨系统，所述基板研磨系统在分别搭载基板的多个基板承载架进行移动的同时，在套于研磨盘的研磨垫上进行研磨工序，在为此所需的所有工序中，按基板承载架分别监控基板承载架的移动路径及位置、运转状态。由此，本发明可以获得提高基板研磨工序的监控效率、能够准确地识别和管理发生错误的基板承载架的效果。

公开(公告)号：CN115338775A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202111612199.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 蔡熙成 ,  李承恩 ,  尹勤植

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B37/30 ,  B24B55/06 ,  B24B7/22 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 根据一个实施例的基板研磨系统，可以包括：基板移送部，其支撑基板的下面，通过旋转运动形成圆形的移送轨道并移送基板；至少一个载体，其从基板移送部接收传递的基板并进行研磨；以及装载部，其使得安放于基板移送部的基板装载至载体或使得位于载体的基板卸载至基板移送部。

公开(公告)号：CN115122228A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210291777.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 郑熙澈 ,  尹勤植 ,  沈亨葉 ,  申盛皓

IPC: B24B37/015 ,  B24B57/02 ,  B24B55/00 ,  B24B55/02 ,  H01L21/306

Abstract: 根据一个实施例的通过研磨垫对基板进行研磨的基板研磨方法，可包括：预加热步骤，在对基板进行研磨之前，通过向研磨垫供给加热过的纯水来使得研磨垫的温度上升；以及温度控制步骤，在基板的研磨过程中，通过对向研磨垫供给的研磨液的温度进行调节来控制研磨垫的温度。