公开(公告)号：CN105981147B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201580007830.X

申请日：2015-02-04

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列及其制造方法，即使在照射光的情况下也具有良好的晶体管特性。薄膜晶体管阵列具备：基板；多个薄膜晶体管，在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、源电极和漏电极、形成于源电极和漏电极间的半导体层、层间绝缘膜及上部像素电极；栅极布线，与栅电极连接；以及源极布线，与源电极连接；在相邻的上部像素电极之间形成有具有遮光性的绝缘层。

公开(公告)号：CN105580121B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480053259.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供使用凹版胶印形成层间绝缘膜图案等开孔图案时、可以在不发生刀片的弯曲或版的缺失的情况下进行图案形成的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列是将下述薄膜晶体管配置为矩阵状、并且使下述栅电极连接于栅极配线、使下述源电极连接于源极配线而成的薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管具有形成在基板上的栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘层、形成在栅极绝缘层上的源电极及像素电极及漏电极、形成在源电极及漏电极之间的半导体层、按照将源电极、漏电极、半导体层及像素电极的一部分覆盖的方式形成的层间绝缘膜、以及形成在层间绝缘膜上并连接于像素电极的上部像素电极，所述漏电极连接于所述像素电极，其中，层间绝缘膜具有凹部。

公开(公告)号：CN105580121A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053259.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0545 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/105 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供使用凹版胶印形成层间绝缘膜图案等开孔图案时、可以在不发生刀片的弯曲或版的缺失的情况下进行图案形成的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列是将下述薄膜晶体管配置为矩阵状、并且使下述栅电极连接于栅极配线、使下述源电极连接于源极配线而成的薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管具有形成在基板上的栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘层、形成在栅极绝缘层上的源电极及像素电极及漏电极、形成在源电极及漏电极之间的半导体层、按照将源电极、漏电极、半导体层及像素电极的一部分覆盖的方式形成的层间绝缘膜、以及形成在层间绝缘膜上并连接于像素电极的上部像素电极，所述漏电极连接于所述像素电极，其中，层间绝缘膜具有凹部。

公开(公告)号：CN107078163A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050563.4

申请日：2015-10-27

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平 ,  石崎守 ,  西泽诚

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/285 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/107

Abstract: 提供一种晶体管特性的均匀性较高的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列，在基板上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成在栅极绝缘层上的源电极及漏电极、以及形成在栅极绝缘层上且源电极与漏电极之间的半导体层，其中，半导体层跨越多个薄膜晶体管而形成为条纹形状，条纹的长轴方向与晶体管的沟道宽度方向一致，条纹的短轴方向的截面膜厚形状为从半导体条纹的中央朝向外侧而膜厚逐渐变薄的形状。

公开(公告)号：CN104718567A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380053653.X

申请日：2013-09-06

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供即便在半导体层的形成中适用印刷法也具有高产量、定位精度良好、高开关比且元件间的不均少的薄膜晶体管阵列。本发明的薄膜晶体管阵列在第1方向及第2方向上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管和电容器的组合，其具有将配置于第1方向上的薄膜晶体管的源电极(27)彼此连接的多个源极配线(28)、将配置于第2方向上的薄膜晶体管的栅电极(21)彼此连接的多个栅极配线(22)、将配置于第2方向上的电容器的电容器电极(23)彼此连接的多个电容器配线(24)、以及将配置于第1方向上的薄膜晶体管的半导体层(13)彼此连接的多个半导体层连接线(12)，半导体层连接线(12)的宽度比薄膜晶体管的半导体层(13)的宽度窄。

公开(公告)号：CN102834914A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017142.3

申请日：2011-03-01

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供能够抑制在下部电极与上部电极之间发生短路或漏电的层叠体的制造方法和层叠体。层叠体（1）具备形成在基板（2）上的下部电极（4）和在基板（2）上形成于下部电极（4）上且覆盖下部电极（4）的基础绝缘膜（6），下部电极（4）具有如下的膜厚减少部（8）：下部电极（4）中的未被基础绝缘膜（6）覆盖的部分的下部电极（4）的膜厚比被基础绝缘膜（6）覆盖的部分的下部电极（4）的膜厚薄。

公开(公告)号：CN116568727A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082359.6

申请日：2021-12-17

Applicant: 凸版印刷株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 松原亮平 ,  山本孝子 ,  长谷川准 ,  内藤昌信 ,  藤田健弘

IPC: C08G65/40

Abstract: 得到能够容易地确认是否赋予了抗菌、抗病毒功能的材料。在多酚衍生物中，多酚类的羟基的一部分中的氢原子或芳香族环的氢原子的一部分被发光性官能团取代。另外，在多酚衍生物中，多酚类的一部分羟基中的氢原子或芳香族环的氢原子的一部分也可以被链状烃基取代。此外，多酚衍生物可以被网状聚合化而形成高分子材料。

公开(公告)号：CN104718567B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201380053653.X

申请日：2013-09-06

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供即便在半导体层的形成中适用印刷法也具有高产量、定位精度良好、高开关比且元件间的不均少的薄膜晶体管阵列。本发明的薄膜晶体管阵列在第1方向及第2方向上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管和电容器的组合，其具有将配置于第1方向上的薄膜晶体管的源电极(27)彼此连接的多个源极配线(28)、将配置于第2方向上的薄膜晶体管的栅电极(21)彼此连接的多个栅极配线(22)、将配置于第2方向上的电容器的电容器电极(23)彼此连接的多个电容器配线(24)、以及将配置于第1方向上的薄膜晶体管的半导体层(13)彼此连接的多个半导体层连接线(12)，半导体层连接线(12)的宽度比薄膜晶体管的半导体层(13)的宽度窄。

公开(公告)号：CN105981147A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007830.X

申请日：2015-02-04

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 松原亮平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列及其制造方法，即使在照射光的情况下也具有良好的晶体管特性。薄膜晶体管阵列具备：基板；多个薄膜晶体管，在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、源电极和漏电极、形成于源电极和漏电极间的半导体层、层间绝缘膜及上部像素电极；栅极布线，与栅电极连接；以及源极布线，与源电极连接；在相邻的上部像素电极之间形成有具有遮光性的绝缘层。