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公开(公告)号：CN116791191A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310786508.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的一侧的隔板及位于隔板靠近坩埚底壁的一侧的原料；隔板包括遮挡部和流通部，遮挡部为圆环形结构，遮挡部的外缘与坩埚侧周壁抵接，流通部用于升华气体通过；坩埚盖的内侧设有籽晶，坩埚内还设有导流罩，导流罩设于隔板远离坩埚底壁的一侧，用于将升华气体导向籽晶表面；导热件的制作材料为耐高温且不与AlN反应的金属材料。该装置能提高原料的温度分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN117089933A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311310602.2
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚，该坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖的下表面用于安置籽晶，坩埚盖的一部分同轴地位于坩埚体的侧壁内表面之内，坩埚盖与坩埚体之间的间隙最小且位置最高之处为密封面，坩埚盖的下表面与密封面之间的轴向距离为H，满足1mm≤H≤100mm。本发明实施例通过控制坩埚盖的下表面与密封面之间的距离在1mm≤H≤100mm范围内，使得坩埚内的原料蒸气在晶体生长开始之前，先在坩埚盖与坩埚体侧壁密封面的缝隙处沉积以使其封闭，极大地提高了物理气相传输法晶体生长过程中坩埚的气密性，减少了原料蒸气的泄漏及其对坩埚外炉膛和测温/控温光路的污染。
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公开(公告)号：CN109704586A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910156545.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微晶玻璃及其应用。微晶玻璃组分简单，原料易得，通过本发明比例原料相互之间的作用，调控微晶玻璃的性能，所得综合性能优，微晶玻璃热膨胀系数为(-6～0.3)×10-7/℃。本发明微晶玻璃可以应用于稳定平台、光学反射镜、电光源玻璃、炊具、手机背板中的任一一项，满足耐急冷急热的使用环境要求。
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