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公开(公告)号:CN102543806A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010621917.5
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种硅片顶架装置,主要包括:顶架(1)、顶架驱动丝杆(10))、顶架驱动螺母(8)、顶架驱动齿轮(13)、顶架驱动电机(14)、驱动电机编码器(17)等。所述的顶架(1)位于硅片下方;所述的顶架驱动电机(14)可驱动顶架驱动丝杆(10)将硅片顶起以脱离机械手和硅片台;所述的驱动编码器(17)可控制顶架驱动电机(14)轴转动角度,从而控制顶架(1)的行程;所述的接近开关(6)可实时反馈顶架(1)行程。
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公开(公告)号:CN102543642A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010621908.6
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描同步的方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。系统主要由运动控制卡(1)、移动法拉第电机(2)、移动法拉第杯(3)、剂量控制器(4)、位置平衡板(5)、直线电机(6)和计算机(实时系统)(7)构成。由计算机(实时系统)(7)向运动控制卡(1)发命令控制移动法拉第电机(2)和直线电机(6),并产生两个同步信号。产生的两个同步信号由位置平衡板(5)自动分时采集,并产生信号触发剂量控制器(4)产生扫描波形。移动法拉第电机(2)带动移动法拉第杯(3)采集束流,送到剂量控制器(4)。剂量控制器(4)和计算机(实时系统)(7)相连。本发明能够实现离子均匀注入二维扫描的同步,实现离子二维注入的均匀性。
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公开(公告)号:CN102537748A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010621916.0
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: F21S4/00 , F21V19/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种用于定向台的长条形光源,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。包括一个外罩(1)、一个光出口狭缝(2)、一组发光二极管(3)、一个光检测装置(5)和电源(4)、(6)。所述的一组发光二极管(3)置于外罩(1)的两侧,分两组,平行放置,数量由几个到十几个不等;所述的光出口狭缝(2)处于外罩(1)的一个面上;所述的光检测装置(5)处于外罩(1)的另一个侧面;所述的电源(4)、(6)处于发光二极管(3)的侧面。本发明可实现为单晶片离子注入的晶片定向台提供稳定可靠的平行光的器件要求,为晶片定向快速准确提供前提保证。
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公开(公告)号:CN102446691A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010514176.0
申请日:2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的预分析器,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:上磁极(1)、下磁极(2)、一线圈(4)、一C形金属铁芯(3);所述的线圈(4)由一组金属导线环绕C形金属铁芯(3)组成;所述的C形金属铁芯(3)从线圈(4)中心穿过,通电后的线圈(4)与C形金属铁芯(3)形成一个C形磁铁,上磁极(1)连接C形金属铁芯(3)的上端;下磁极(2)连接C形金属铁芯(3)的下端。本发明可实现对从离子源引出束流进行预分析,初步提取所需离子种类,有效提高后续光路单元的工作效率。
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公开(公告)号:CN102446684A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010513472.9
申请日:2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入平行限束光栏的结构,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:真空腔体(1)、上光栏板(2)、下光栏板(3)、伺服电机(4)、滑动轴一(5)、滑动轴二(6)。所述的上光栏板(2)安装在滑动轴一(5)的下端,所述的下光栏板(3)安装在滑动轴二(6)的下端,所述的滑动轴一(5)和滑动轴二(6)的上端都与伺服电机(4)相连,在伺服电机(4)的驱动下进行等速相反的调节运动,实现上光栏板(2)与下光栏板(3)之间距离的大小调节。上光栏板(2)和下光栏板(3)为锯齿型,可承受大功率离子束的轰击,且具有光栏应有的锐边效果。
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公开(公告)号:CN102446679A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010514043.3
申请日:2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。所述的离子源,产生需要的各种离子;所述的源过滤磁铁,初次进行离子偏转筛选;所述的加速管,束能量加速或减速到所需注入的能量;所述的质量分析器,实现离子筛选功能;所述的分析光栏,为可调分析缝,使所需要的离子通过,对离子具有提纯作用;所述的偏转扫描系统,将束扩张水平带状束;所述的平行束透镜,使离子束校正为平行束;所述的大倾角单片靶盘,单片装载晶片,注入角度0°-60°可调。本发明可实现大倾角离子注入机的光学系统的要求,具有离子纯度高、离子能量精确度高、注入角度精确高、传输效率高等优点。
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公开(公告)号:CN102534536B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201010621900.X
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片台多轴运动装置,主要包括:硅片台自转机构(1)、硅片台倾斜机构(2)、竖直和摆动运动机构(3)和机架(4)。所述的硅片台自转机构(1)置于硅片台倾斜机构(2)上;所述的硅片台倾斜机构(2)置于竖直和摆动运动机构(3)上;所述的竖直和摆动运动机构(3)置于机架(4)上。其特征在于,硅片台自转机构(1)可以绕硅片台中心旋转;硅片台自转机构(1)可以垂直于硅片台面转动;硅片台倾斜机构(2)可以摆动旋转和竖直运动,从而实现硅片台的多角度运动扫描。
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公开(公告)号:CN102569117A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201010621903.3
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/66 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入束线法拉第,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:安装法兰(1)、绝缘安装板(2)、燃烧传感器(3)、杯测束底板(4)、拆装导杆孔(5)、杯框(6)、旋转轴(7)、气缸(8)。所述的旋转轴(7)通过与气缸(8)连接完成旋转动作,拆装导杆孔(5)处在安装法兰(1)上;所述的拆装导杆孔(5)主要作用是方便装置的拆装有保护装置在拆装过程中的不至损坏,绝缘安装版(2)安装在安装法兰(1)内侧与杯框相连;所述绝缘安装板(2)处于杯框(6)和安装法兰(1)之间,主要起绝缘作用且有一定的密封效果;所述的杯测束底板(4)安装在杯框(6)的左侧,其中心位置杯框(6)内安装燃烧传感器(3);所述的燃烧传感器(3)用于检测杯测束底板(4)束流。
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公开(公告)号:CN102534536A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010621900.X
申请日:2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片台多轴运动装置,主要包括:硅片台自转机构(1)、硅片台倾斜机构(2)、竖直和摆动运动机构(3)和机架(4)。所述的硅片台自转机构(1)置于硅片台倾斜机构(2)上;所述的硅片台倾斜机构(2)置于竖直和摆动运动机构(3)上;所述的竖直和摆动运动机构(3)置于机架(4)上。其特征在于,硅片台自转机构(1)可以绕硅片台中心旋转;硅片台自转机构(1)可以垂直于硅片台面转动;硅片台倾斜机构(2)可以摆动旋转和竖直运动,从而实现硅片台的多角度运动扫描。
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公开(公告)号:CN102446682A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010513564.7
申请日:2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/21 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入低能透镜,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:入口电极(1)、出口电极(2)、中间聚焦电极(3)、安装法兰(4)、两个连接棒(5)、绝缘供电连接(6)。所述的入口电极(1)、出口电极(2)分别与连接棒(5)的一端连接,连接棒(5)的另一端连接到安装法兰(4);所述的安装法兰(4)用于固定连接棒(5)和绝缘供电连接(6),处在地电位;所述的中间聚焦电极(3)和绝缘供电连接(6)连接,与入口电极(1)、出口电极(2)之间绝缘;所述的绝缘供电连接(6)一端连接中间聚焦电极(3),另一端连接外部电源,向聚焦电极(3)供电,连接电源端具有两个连接口,可用于检测实际供电状态。入口电极(1)、出口电极(2)和中间聚焦电极(3)共同组成膜片透镜结构,实现了在低能模式下对离子束实行先扩散后聚焦,总体实现的聚焦的作用。
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