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公开(公告)号：CN103107056B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110354972.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/21 , H01J37/317
CPC classification number: H01J49/30 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/057
Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束分析器，用于从宽带离子束中分离出所需的离子，包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭，其中：所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界和出射端边界；所述入射端边界和出射端边界的弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径。本发明通过采用具有弧形入射端边界和出射端边界的上磁极和下磁极，且弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径，使得宽带离子束中所需的离子能够在磁场中部理想聚焦，得到焦斑尺寸等于0的理想焦点，可以通过选取合适的最小的分析缝宽度而获得最佳的分析分辨率，实现宽带离子束中所需的离子与其他离子完全分离。
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公开(公告)号：CN102956424A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241142.3
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/317 , G01T1/29
Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的束流均匀性检测的装置。一种离子注入机可以产生宽带束或扁状带束，为使其正常工作发明一种检测束流均匀性装置。该装置主要包括：束流收集面板(1)、齿条(2)、电机固定块(3)、齿轮(4)等。该装置特征在于，束流收集面板(1)采用蜂窝式排列束流收集框，每一个束流收集框均可以独立检测束流大小；该装置特征还在于可以检测离子束流在聚焦情况下的束斑剖面密度分布和扫描情况下的束均匀性分布，尤其可以检测宽带束流或扁状带束。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。
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公开(公告)号：CN102867722A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186471.2
申请日：2011-07-05
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/317 , G01T1/29
Abstract: 本发明公开了一种能检测离子束流在聚焦情况下的束斑剖面密度分布、扫描情况下的束均匀性分布的阵列式复合型法拉第杯，包括：中心位置一个二维法拉第杯阵列(2)，两侧位置各一个一维法拉第阵列(4)。其特征在于：中心位置的二维法拉第杯阵列(2)用于检测离子束在聚焦情况下(5)束斑剖面的密度分布；两侧位置的一维法拉第杯阵列(4)用于检测离子束在扫描情况下(6)束均匀性分布。本装置可以实时检测离子束的分布及状态变化，提高检测的实时性及精确性。
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公开(公告)号：CN102534536A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621900.X
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片台多轴运动装置，主要包括：硅片台自转机构(1)、硅片台倾斜机构(2)、竖直和摆动运动机构(3)和机架(4)。所述的硅片台自转机构(1)置于硅片台倾斜机构(2)上；所述的硅片台倾斜机构(2)置于竖直和摆动运动机构(3)上；所述的竖直和摆动运动机构(3)置于机架(4)上。其特征在于，硅片台自转机构(1)可以绕硅片台中心旋转；硅片台自转机构(1)可以垂直于硅片台面转动；硅片台倾斜机构(2)可以摆动旋转和竖直运动，从而实现硅片台的多角度运动扫描。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956517B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110241145.7
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶片传输疲劳度测试的方法，包括：晶片传输开始(1)、实时监控和采集各个运动部件的状态(2)、是否有故障(3)、记录故障部件、类型和次数(4)、晶片传输完成(5)、循环传输N次(6)、根据采集和记录故障，画出直观图表(7)、同各个部件的性能参数比较，找出异常的，重点监控查找问题(8)、根据不同问题找出相应的解决办法(9)和本次疲劳度测试结束(10)。其特征在于：能够比较全面的反应出各个部件在长时间运动中的状态趋势，直观易懂，便于统计，比较快速的找出不稳定的因素，根据类型分类，有针对性的找出解决问题的办法。
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公开(公告)号：CN103377865B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210118487.4
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1472 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1475 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/152
Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束传输方法，其采用两个独立的磁场：分析磁场和校正磁场，以及分析光栏对宽带离子束进行传输；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转；本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转，使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。
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公开(公告)号：CN102543806A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621917.5
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种硅片顶架装置，主要包括：顶架(1)、顶架驱动丝杆(10))、顶架驱动螺母(8)、顶架驱动齿轮(13)、顶架驱动电机(14)、驱动电机编码器(17)等。所述的顶架(1)位于硅片下方；所述的顶架驱动电机(14)可驱动顶架驱动丝杆(10)将硅片顶起以脱离机械手和硅片台；所述的驱动编码器(17)可控制顶架驱动电机(14)轴转动角度，从而控制顶架(1)的行程；所述的接近开关(6)可实时反馈顶架(1)行程。
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公开(公告)号：CN102543643A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621918.X
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种用于离子源的固体物质气化装置，其结构包括：热电偶(1)，热电偶支撑架结构(2)，灯管引线座(3)，通水座(4)，安装法兰(5)，灯管座(6)，加热灯管(7)，支承座(8)，小弹片(9)，送气管(10)，石墨坩埚帽(11)，石墨坩埚桶(12)，绝缘柱(13)、(15)，氮化硼垫片(14)。该装置用于给装有固体物质的坩埚加热，其中坩埚由石墨坩埚桶(11)和石墨坩埚帽(12)组成，使用和坩埚相连接的热电偶(1)检测坩埚的温度，根据要气化的物质不同，调节不同的温度以达到气化的目的，气化后的气体分子通过送气管(10)送出该气化装置。并安装一个通水座(4)，用于冷却。
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公开(公告)号：CN100468632C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610065122.4
申请日：2006-03-17
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/425 , C30B31/22 , H01J37/317 , H05H1/00 , H05F3/04
Abstract: 本发明提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。
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