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公开(公告)号：CN119575729A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411820246.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜波导串联双微环的光频梳产生装置及方法，装置包括在铌酸锂薄膜上刻蚀的第一总线波导、第一环形波导、第二环形波导及第二总线波导；其中，第一总线波导的一端为泵浦光输入端，另一端为辅助光输入端，第一总线波导与第一环形波导相互耦合，第一环形波导和第二环形波导相互耦合，第二环形波导为孤子腔，孤子腔下方设置有温度调控装置，通过对孤子腔的温度进行调控使孤子腔的谐振峰漂移，以使泵浦光进入孤子态，且辅助光对泵浦光的孤子态进行功率补偿，产生孤子光频梳。本发明结合辅助光热调，使得微腔热效应得到补偿，提升孤子稳定性，最终从孤子腔端口输出得到性能稳定且具有高相干性和高平坦度的梳状结构光谱。
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公开(公告)号：CN118884607B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN117779187A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803238.3
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G01Q60/24 , G01N23/207 , G01N23/2273 , G01N23/04 , G01N23/223
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中Sb/Ga束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb长波红外超晶格；其中，InAs/GaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；As/In的V/Ⅲ等效束流比为7，Sb/Ga的V/Ⅲ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAs/GaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAs/GaSb长波红外超晶格(吸收区)特性的理解，为InAs/GaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。
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公开(公告)号：CN118676239B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118884607A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN117784291B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118392825A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410323959.2
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请涉及片上单模光波导测量领域，公开了一种片上单模光波导有效折射率的测量方法，包括以下步骤：S1、提供一个测量系统；S2、输入光，并获取两个马赫曾德干涉结构的归一化光谱；S3、在相同波段内，记录光谱中多个连续波谷的波长值；S4、确定第一马赫曾德干涉结构第一个波谷的级次系数K；S5、利用级次系数K，构建第一和第二散点集，并计算对应的有效折射率；S6、对相同K取值时的第一和第二散点集进行合并，并进行曲线拟合；S7、通过比较不同K值时的曲线拟合度，确定最高拟合度对应的K值。本发明能够高效地确定片上单模波导有效折射率的实际值和干涉光谱中波谷的级次，解决了片上单模波导有效折射率难以准确测量的问题。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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