半导体工艺腔室以及排液方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119943703A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202311458509.6

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中,半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体;第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道,且控温通道具有多条第一管段和第二管段,第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接,第二管段位于控温通道的最底端且水平延伸;第一控温主体中还具有辅助排液通道,辅助排液通道与多条第一管段和第二管段连通;半导体工艺腔室还包括设置于辅助排液通道中开关组件;开关组件用于在第一状态时阻挡液体在辅助排液通道中流动;开关组件用于在第二状态时使多条第一管段中的液体通过辅助排液通道流入第二管段中,从而避免积液在低温环境下凝固而导致多条第一管段损坏。

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