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公开(公告)号：CN119542208A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311099124.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶舟结构、半导体热处理设备及其控制方法。其中，晶舟结构包括：固定支架，具有固定支撑部；调节机构，设置在固定支架上，调节机构具有多个可移动的辅助支撑部，调节机构具有第一状态和第二状态，在调节机构处于第一状态，至少两个辅助支撑部移动至与固定支撑部齐平的位置；在调节机构处于第二状态，仅有一个辅助支撑部移动至与固定支撑部齐平的位置，以使一个辅助支撑部与固定支撑部共同支撑同一晶圆。本发明的晶舟结构通过设置调节机构可以改变支撑晶圆的支撑点的数量，在使用时，可以根据工艺温度对晶圆支撑点的数量进行调整，从而在避免产生滑移缺陷，同时还可以避免颗粒划伤、污染的问题，提高工艺的良品率。
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公开(公告)号：CN112013674B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010856769.9
申请日：2020-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种立式炉设备。该立式炉设备用于对晶圆进行热处理工艺，包括：炉体结构、进气结构及排气结构；炉体结构包括壳体及炉管，壳体包覆于炉管的外侧，炉管内部自上至下依次划分为多个加热区域；进气结构设置于壳体的一侧，并且包括多个进气口，多个进气口分别对应多个加热区域设置，用于将冷却气体导入壳体内对炉管进行降温冷却；排气结构相对于进气结构设置于壳体的另一侧，并且包括多个排气口，多个排气口分别对应多个加热区域设置，用于将壳体内的冷却气体导出。本申请实施例，实现了每个加热区域都有冷却气体进入，使得各加热区域降温速率相同，提升了炉体结构整体冷却效率。
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公开(公告)号：CN111312637A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010128192.X
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/673 , C30B31/14
Abstract: 本发明提供一种晶片承载装置，包括顶板、底板和多根承载柱，所述多根承载柱设置在所述顶板和所述底板之间，以将所述顶板和所述底板固定连接，多个所述承载柱用于承载晶片，其特征在于，所述晶片承载装置还包括至少一个固定片，所述固定片固定设置在所述顶板与所述底板之间，且所述固定片位于所述承载柱的端部。固定片能维持承载柱晶片槽中装载的晶片附近气流场、温度场的稳定性，并且固定片不需要与晶片一同装卸，从而提高了晶片的装载效率，在同等晶片装卸时间要求下，允许同一个晶片承载装置中承载更多的晶片，提高了晶片加工制造的产能。并且，固定片不必随晶片装卸，降低了装置的维护成本。本发明还提供一种立式扩散炉。
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公开(公告)号：CN110359032A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910650925.3
申请日：2019-07-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度补偿方法，包括：获取各个恒温区中完成工艺的晶圆上的薄膜电阻率；根据该薄膜电阻率与成膜温度的对应关系，计算获得各个恒温区的温度偏差值；根据各个恒温区的温度偏差值对各个恒温区的成膜温度进行补偿。通过本发明，节省了温度校准成本。
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公开(公告)号：CN118390025A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410491458.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该半导体工艺设备包括工艺内管、工艺外管、安装组件和密封组件，其中，所述工艺外管套设于所述工艺内管之外，所述工艺外管与所述工艺内管之间具有环形安装空间，所述工艺内管和所述工艺外管均设置于所述安装组件，所述安装组件设有安装通道，所述密封组件包括相连通的充气机构和环形气囊，所述充气机构设置于所述安装通道内，所述环形气囊设置于所述环形安装空间内，所述充气机构可向所述环形气囊内充气，以使所述环形气囊分别与所述工艺内管和所述工艺外管密封配合。该方案能够解决目前工艺内管和工艺外管与安装组件之间容易长膜结晶的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115101470A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210899606.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种晶圆承载装置、半导体工艺设备及其控制方法，所公开的晶圆承载装置，包括承载装置本体、隔热装置和加热器，其中：所述承载装置本体包括相对设置的第一端部和第二端部，所述隔热装置设于所述承载装置本体的所述第一端部，所述隔热装置设置有所述加热器，所述加热器用于加热所述第一端部，以使所述第一端部的第一温度与所述第二端部的第二温度的差值小于预设差值。上述方案可以解决相关技术中的晶圆承载装置在装载着晶圆向工艺腔室移动的过程中，由于晶圆承载装置的两个端部温差较大而存在晶圆在工艺时一致性较差的问题。
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公开(公告)号：CN110473783B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910768771.8
申请日：2019-08-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种颗粒控制方法，该颗粒控制方法包括以下步骤：S1，将完成工艺的晶片传入封闭区域中；S2，向封闭区域中通入不与晶片反应的第一冷却气体，直至晶片的温度降低至第一预设温度值；S3，向封闭区域中通入空气，以去除封闭区域中已存在的颗粒。本发明提供的颗粒控制方法，不仅可以减少因润滑剂扩散而产生颗粒，提高封闭区域的清洁度，而且无需拆卸并清洗装载台上的导轨及相关部件，也无需更改机械部件，从而可以简化操作过程、减少维护时间和成本，提高机台产能。
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公开(公告)号：CN112382596A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011245352.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体工艺腔室，其中，承载装置用于半导体工艺腔室支撑待加工件，承载装置包括多个相互间隔并连接的承载柱，各承载柱上均间隔设置有多个承载槽，且各承载柱上的承载槽一一对应设置，对应设置的所有承载槽用于共同承载待加工件，各承载柱上均设有通孔，通孔和承载槽一一对应设置，通孔和承载槽相连通，用于部分工艺气体通过通孔导流至承载槽内的待加工件的待加工面上。本发明提供的承载装置及半导体工艺腔室，能够降低承载柱对工艺气体的阻挡，提高工艺气体在待加工件的待加工面上的分布均匀性，从而提高工艺均匀性，提高工艺良率，进而提高产能。
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公开(公告)号：CN111370284A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010177200.X
申请日：2020-03-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 孙妍
Abstract: 本发明公开一种半导体热处理设备的清扫方法，包括：将承载有晶圆挡片的晶舟移入半导体热处理设备的反应腔室内；将半导体热处理设备的装卸载腔室调节至常压的大气环境；向反应腔室通入吹扫气体以进行清扫；清扫完毕后，将反应腔室的温度调节至预设温度，并将反应腔室的压力调节至常压；将晶舟移入装卸载腔室中，向装卸载腔室通入空气以进行清扫。将晶舟托载晶圆挡片进入反应腔室进行清扫，减少清扫时的腔室体积，增加反应腔室侧壁的气流流速，提高其侧壁颗粒物的去除效果，将承载有晶圆挡片的晶舟移至装卸载腔室内，利用晶圆挡片从反应腔室的热量和含氧的大气环境，使装卸载腔室内的有机物颗粒燃烧去除，有效清除反应腔室和装卸载腔室内的颗粒。
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公开(公告)号：CN117832112A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211177702.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本申请公开了一种半导体设备及其晶舟，该半导体设备的晶舟包括：副晶舟支架，用于在批量半导体工艺处理进行到预设进度时，同样以上下层叠方式支撑起多个晶圆，来使多个晶圆暂时脱离主晶舟支架，及在主晶舟支架转动第一预设角度后，进行复位操作以使多个晶圆重新回到主晶舟支架，且每一晶圆与主晶舟支架之间的接触位置均发生改变后，再来完成批量半导体工艺处理的余下进度。本技术方案，可在半导体设备的工艺途中改变主晶舟支架与晶圆之间的接触位置，来避免出现晶边的局部薄膜缺失现象，以从根本上排除了半导体设备由此导致的颗粒污染的隐患，提升影响器件良率的同时，不会造成半导体设备对晶圆进行半导体工艺处理时的制程道数增加。
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