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公开(公告)号：CN113322440A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110577771.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体及设置于腔室本体内的基座、沉积环及遮挡环；基座用于承载晶圆，基座内具有冷却结构，冷却结构用于对基座及晶圆进行冷却降温；沉积环环绕基座设置，沉积环包括环状的隔挡部，基座承载有晶圆时，隔挡部环绕晶圆；遮挡环可分离地设置于沉积环上，遮挡环位于沉积环上时，遮挡环环绕沉积环的隔挡部，并且遮挡环的顶面不高于隔挡部的顶面，以阻挡遮挡环的热量向晶圆传递。本申请实施例实现了隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率，并且还能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。
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公开(公告)号：CN113186501A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110304927.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王宽冒
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室内部且均为导体的基座和卡环，基座用于承载待加工件，卡环用于在进行沉积工艺时环绕基座的外周设置且与基座相接，且卡环的内径大于待加工件的直径；半导体设备还包括电位调节系统，电位调节系统包括：电荷接收件，电荷接收件材质为导体，且电荷接收件用于在进行沉积工艺时接收沉积工艺中的等离子体；信号处理装置，用于获取电荷接收件的电位，并计算出待加工件的理论电位；电源，向基座或卡环输出设定偏压，设定偏压的值为待加工件的理论电位值，以使基座外表面的电位、待加工件上表面的电位以及卡环外表面的电位均在预设范围内。
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公开(公告)号：CN112281116A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011018680.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器。薄膜电极制造方法包括：在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击预设金属靶材，以在基板表面形成预设金属单质膜层；在第一时长后的第二时长，通入反应气体和惰性气体的混合气体，其中，在通入混合气体的过程中，逐渐减小惰性气体的流量，同时逐渐增大反应气体的流量，以在预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与反应气体的化合物的混合过渡膜层；在第二时长后的第三时长，继续通入反应气体，同时停止输入惰性气体，以在混合过渡膜层上形成预设金属和反应气体的化合物膜层。实现改善金属单质膜层与化合物膜层之间的接触特性，提高电极性能。
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公开(公告)号：CN111778478A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010681847.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王宽冒
Abstract: 本申请提供一种薄膜沉积方法，包括：主沉积步骤，进行薄膜沉积工艺，在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜，并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；应力转变步骤，将冷却气体由第一流量降低至第二流量，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度，在预设温度下，金属薄膜中的应力转变为拉应力。应用本申请，通过其主沉积步骤获得具有压应力的指定厚度的金属薄膜，然后在应力转变步骤中，通过沉积粒子撞击晶片对金属薄膜进行均匀加热，可以迅速将热量传递至晶片的内部，从而短时间内将晶片整体温度提高至预设温度，以使金属薄膜具有拉应力。
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公开(公告)号：CN108461417A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810043867.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体设备，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台；所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；所述PVD腔室用于在基片上沉积所述电容的上电极和下电极；所述ALD腔室用于在基片上沉积所述电容的电介质层；所述传输平台用于传输基片。本发明提供的半导体设备，不仅提高电容的性能，而且还可以降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107435134A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610365254.2
申请日：2016-05-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种磁控管组件及磁控溅射设备。该磁控管组件包括安装背板和多个磁体组件，多个磁体组件按照预设排列方式安装在所述安装背板上，安装背板包括多个子安装背板；相邻两个子安装背板采用固定件进行可拆卸固定安装。本发明提供的磁控管组件，能够有效地模拟所有等离子体闭合路径长短所需的磁控管，因此应用该磁控溅射设备可满足不同等离子体闭合路径长短的要求，因而适用范围广。
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公开(公告)号：CN111778478B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010681847.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王宽冒
Abstract: 本申请提供一种薄膜沉积方法，包括：主沉积步骤，进行薄膜沉积工艺，在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜，并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；应力转变步骤，将冷却气体由第一流量降低至第二流量，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度，在预设温度下，金属薄膜中的应力转变为拉应力。应用本申请，通过其主沉积步骤获得具有压应力的指定厚度的金属薄膜，然后在应力转变步骤中，通过沉积粒子撞击晶片对金属薄膜进行均匀加热，可以迅速将热量传递至晶片的内部，从而短时间内将晶片整体温度提高至预设温度，以使金属薄膜具有拉应力。
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公开(公告)号：CN110660698B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810686292.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种压环组件、工艺腔室和半导体处理设备。包括隔热件、压环以及夹设在所述压环和所述隔热件之间的绝缘支撑件，所述隔热件位于所述压环上方，所述绝缘支撑件的两端分别与所述隔热件和所述压环抵接，并且，所述绝缘支撑件的两端的横截面尺寸大于其中部区域的横截面尺寸。本发明的压环组件，可以有效减少溅射粒子对绝缘支撑件上半部分的沉积，可有效保证绝缘支撑件保持绝缘状态，从而使得压环与隔热件之间保持绝缘状态，提高晶片的工艺良率，并可以有效降低射频功率损耗，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN110620074A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810628962.X
申请日：2018-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供的基座组件及反应腔室，包括基座，基座中设置有气体通道，在承载面上形成有凹道，凹道与气体通道的出气端连通，用于在晶圆置于承载面上时，向晶圆的下表面与承载面之间的凹道通入热交换气体，本发明提供的基座组件还包括流量控制器，通过流量控制器来控制自气体通道的出气端流出的热交换气体的流量，使得当晶圆置于承载面上并对晶圆进行背吹时，不会因为热交换气体的流量过大而将晶圆吹走，同时，由于无需使用按压部件对晶圆进行按压固定，因此晶圆的上表面能够全面进行工艺，而不会影响晶圆的后续工艺。
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公开(公告)号：CN109920925A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910062018.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。
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